石英晶振你不知道的一些內(nèi)部結構秘密
來源：http://diginow.com.cn 作者：康比-夏明春 2012年04月30
現(xiàn)如今電子科技技術在高速發(fā)展，中國也迎來了電子商務科技的時代，很多電子產(chǎn)品已經(jīng)融入我們生活之中，人們越來越不開這些電子玩意，由于電子時代的來臨從而帶動了中國電子元件的發(fā)展，晶振行業(yè)也在微妙的發(fā)展過程中慢慢的崛起，當然很多人還是不了解晶振是什么樣的概念，下面我們來簡單認識一下石英晶振的一些知識與結構。
1、 標稱頻率：晶體技術條件中規(guī)定的頻率，通常標識在產(chǎn)品外殼上。
2、 工作頻率：晶振與工作電路共同產(chǎn)生的頻率。
3、 調(diào)整頻差：在規(guī)定條件下，基準溫度（25±2℃）時工作頻率相對于標稱頻率所允許的偏差。也是我們通常所說的PPM值,比如10PPM。
4、 溫度頻差：在規(guī)定條件下，在工作溫度范圍內(nèi)相對于基準溫度（25±2℃）時工作頻率的允許偏差。
5、 老化率：在規(guī)定條件下，晶體工作頻率隨時間而允許的相對變化。以年為時間單位衡量時稱為年老化率。
6、 靜電容：等效電路中與串聯(lián)臂并接的電容，也叫并電容，通常用C0表示。
7、 負載電容：與壓電石英晶振一起決定負載諧振頻率fL的有效外界電容，通常用CL表示。
負載電容系列是：8PF、12PF、15PF、20PF、30PF、50PF、100PF。
只要可能就應選推薦值：10PF、20PF、30PF、50PF、100PF。
8、 負載諧振頻率（fL）：在規(guī)定條件下，晶體與一負載電容相串聯(lián)或相并聯(lián)，其組合阻抗呈現(xiàn)為
電阻性時的兩個頻率中的一個頻率。在串聯(lián)負載電容時，
負載諧振頻率是兩個頻率中較低的一個，在并聯(lián)負載電容時，則是兩個頻率中較高的一個。
9、 動態(tài)電阻：串聯(lián)諧振頻率下的等效電阻。用R1表示。
10、 負載諧振電阻：在負載諧振頻率時呈現(xiàn)的等效電阻。用RL表示。
RL＝R1（1+C0/CL）2
激勵電平可選值有：2mW、1mW、0.5mW 、0.2mW、0.1mW、50μW、20μW、10μW、1μW、0.1μW等
11、 基頻：在振動模式最低階次的振動頻率。
12、 泛音：晶體振動的機械諧波。泛音頻率與基頻頻率之比接近整數(shù)倍但不是整數(shù)倍，
這是它與電氣諧波的主要區(qū)別。泛音振動有3次泛音，5次泛音，7次泛音，9次泛音等。
—康比電子
1、 標稱頻率：晶體技術條件中規(guī)定的頻率，通常標識在產(chǎn)品外殼上。
2、 工作頻率：晶振與工作電路共同產(chǎn)生的頻率。
3、 調(diào)整頻差：在規(guī)定條件下，基準溫度（25±2℃）時工作頻率相對于標稱頻率所允許的偏差。也是我們通常所說的PPM值,比如10PPM。
4、 溫度頻差：在規(guī)定條件下，在工作溫度范圍內(nèi)相對于基準溫度（25±2℃）時工作頻率的允許偏差。
5、 老化率：在規(guī)定條件下，晶體工作頻率隨時間而允許的相對變化。以年為時間單位衡量時稱為年老化率。
6、 靜電容：等效電路中與串聯(lián)臂并接的電容，也叫并電容，通常用C0表示。
7、 負載電容：與壓電石英晶振一起決定負載諧振頻率fL的有效外界電容，通常用CL表示。
負載電容系列是：8PF、12PF、15PF、20PF、30PF、50PF、100PF。
只要可能就應選推薦值：10PF、20PF、30PF、50PF、100PF。
8、 負載諧振頻率（fL）：在規(guī)定條件下，晶體與一負載電容相串聯(lián)或相并聯(lián)，其組合阻抗呈現(xiàn)為
電阻性時的兩個頻率中的一個頻率。在串聯(lián)負載電容時，
負載諧振頻率是兩個頻率中較低的一個，在并聯(lián)負載電容時，則是兩個頻率中較高的一個。
9、 動態(tài)電阻：串聯(lián)諧振頻率下的等效電阻。用R1表示。
10、 負載諧振電阻：在負載諧振頻率時呈現(xiàn)的等效電阻。用RL表示。
RL＝R1（1+C0/CL）2
激勵電平可選值有：2mW、1mW、0.5mW 、0.2mW、0.1mW、50μW、20μW、10μW、1μW、0.1μW等
11、 基頻：在振動模式最低階次的振動頻率。
12、 泛音：晶體振動的機械諧波。泛音頻率與基頻頻率之比接近整數(shù)倍但不是整數(shù)倍，
這是它與電氣諧波的主要區(qū)別。泛音振動有3次泛音，5次泛音，7次泛音，9次泛音等。
—康比電子
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