首頁(yè)常見(jiàn)問(wèn)題 晶振使用過(guò)程中的問(wèn)題之解
晶振使用過(guò)程中的問(wèn)題之解
來(lái)源：http://diginow.com.cn 作者：kangbidz 2012年08月11
《晶振》是一種靈敏度非常高的電子元件，特別是貼片晶振，貼片式的壓控溫補(bǔ)振蕩器，它的恒溫穩(wěn)定度可以達(dá)到0.05PPM，在所有壓電諧振器中是最高的，通常用在無(wú)線通訊設(shè)備，醫(yī)療設(shè)備，機(jī)動(dòng)傳感應(yīng)用上，但是一旦出現(xiàn)問(wèn)題是很麻煩的事情，下面我們來(lái)看一下它的兩種觀點(diǎn)解說(shuō)之道。
一種觀點(diǎn)為“負(fù)載電容”之說(shuō)：
晶振的標(biāo)稱值在測(cè)試時(shí)有一個(gè)“負(fù)載電容”的條件，在工作時(shí)滿足這個(gè)條件，振蕩頻率才與標(biāo)稱值一致。一般來(lái)講，有低負(fù)載電容(串聯(lián)諧振晶體)，常用的有JA18A、JA18E、JA24A、B0002CE;高負(fù)載電容(并聯(lián)諧振晶體)，常用的有JA18B、KSS6CT、B0031CE。在電路上的特征為：晶振串一只電容跨接在IC兩只腳上的，則為串聯(lián)諧振型;一只腳接IC，一只腳接地的，則為并聯(lián)型。如確實(shí)沒(méi)有原型號(hào)，需要代用的可采取串聯(lián)諧振型電路上的電容再并一個(gè)電容，并聯(lián)諧振電路上串一只電容的措施。例如：4.433MHz晶振,并一只3300PF電容或串一只70P的微調(diào)電容。
另一種說(shuō)法是“損耗值”與“激勵(lì)電平”之說(shuō).
從壓電晶體上來(lái)說(shuō)激勵(lì)電平強(qiáng)迫諧振子產(chǎn)生機(jī)械振蕩，在這個(gè)過(guò)程中，加速度功轉(zhuǎn)化為動(dòng)能和彈性能，功耗轉(zhuǎn)化為熱。后者的轉(zhuǎn)換是由于石英諧振子的內(nèi)部和外部的摩擦所造成的。
摩擦損耗與振動(dòng)質(zhì)點(diǎn)的速度有關(guān)，當(dāng)震蕩不再是線性的，或當(dāng)石英振子內(nèi)部或其表面及安裝點(diǎn)的拉伸或應(yīng)變、位移或加速度達(dá)到臨界時(shí)，摩擦損耗將增加。因而引起頻率和電阻的變化。
其實(shí)，上述原因都可以作為選擇晶振的條件作為考慮。
一種觀點(diǎn)為“負(fù)載電容”之說(shuō)：
晶振的標(biāo)稱值在測(cè)試時(shí)有一個(gè)“負(fù)載電容”的條件，在工作時(shí)滿足這個(gè)條件，振蕩頻率才與標(biāo)稱值一致。一般來(lái)講，有低負(fù)載電容(串聯(lián)諧振晶體)，常用的有JA18A、JA18E、JA24A、B0002CE;高負(fù)載電容(并聯(lián)諧振晶體)，常用的有JA18B、KSS6CT、B0031CE。在電路上的特征為：晶振串一只電容跨接在IC兩只腳上的，則為串聯(lián)諧振型;一只腳接IC，一只腳接地的，則為并聯(lián)型。如確實(shí)沒(méi)有原型號(hào)，需要代用的可采取串聯(lián)諧振型電路上的電容再并一個(gè)電容，并聯(lián)諧振電路上串一只電容的措施。例如：4.433MHz晶振,并一只3300PF電容或串一只70P的微調(diào)電容。
另一種說(shuō)法是“損耗值”與“激勵(lì)電平”之說(shuō).
從壓電晶體上來(lái)說(shuō)激勵(lì)電平強(qiáng)迫諧振子產(chǎn)生機(jī)械振蕩，在這個(gè)過(guò)程中，加速度功轉(zhuǎn)化為動(dòng)能和彈性能，功耗轉(zhuǎn)化為熱。后者的轉(zhuǎn)換是由于石英諧振子的內(nèi)部和外部的摩擦所造成的。
摩擦損耗與振動(dòng)質(zhì)點(diǎn)的速度有關(guān)，當(dāng)震蕩不再是線性的，或當(dāng)石英振子內(nèi)部或其表面及安裝點(diǎn)的拉伸或應(yīng)變、位移或加速度達(dá)到臨界時(shí)，摩擦損耗將增加。因而引起頻率和電阻的變化。
其實(shí)，上述原因都可以作為選擇晶振的條件作為考慮。
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