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- 產(chǎn)品型號：31169505
- 頻率：1.8~180MHZ
- 尺寸：5.0*7.0mm
- 產(chǎn)品介紹：加高電子(HELE.)是頻率元件的專業(yè)製造商,我們更專注開發(fā)高溫度耐受性的產(chǎn)品、特殊應用領域之規(guī)格,并朝小型化開發(fā)設計,以滿足終端產(chǎn)品的發(fā)展趨勢.
-
有源晶振,貼片晶振,加高晶振,HSO751S晶振,普通有源晶振
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HSO751S晶振,進口加高晶體,普通有源晶振.小型SMD有源晶振,從最初超大體積到現(xiàn)在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm體積,有著翻天覆地的改變,體積的變小也試產(chǎn)品帶來了更高的穩(wěn)定性能,接縫密封石英晶體振蕩器,精度高,覆蓋頻率范圍寬的特點,SMD高速自動安裝和高溫回流焊設計,Optionable待機輸出三態(tài)輸出功能,電源電壓范圍：1.8V?5 V,高穩(wěn)定性,低抖動,低功耗,主要應用領域:無線通訊,高端智能手機,平板筆記本W(wǎng)LAN,藍牙,數(shù)碼相機,DSL和其他IT產(chǎn)品的晶振應用,三態(tài)功能,PC和LCDM等高端數(shù)碼領域,符合RoHS/無鉛.
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| 說明 | HSO751S晶振 |
| 頻率范圍 | 1.8~180MHZ |
| 頻率穩(wěn)定度 | A:±100 B:±50 C: ±30 D: ±25 |
| 輸出電平 | CMOS |
| 工作溫度 | -10℃~+60℃,-20℃~+70℃,或客戶要求 |
| 保存溫度 | -40℃~+85℃ |
| 負載電容 | 15pF |
| 輸出對稱 | 40% ~ 60% or 45% ~ 55%(at 55%V DC) |
| 電壓 |
3V、3.3V、5V、5.5V |
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加高晶振承諾所有的運作皆遵守本地國家的法律,加高電子科技本于‘善盡企業(yè)責任、降低環(huán)境沖擊、提升員工健康’的理念,執(zhí)行各項環(huán)境及職業(yè)安全衛(wèi)生管理工作；落實公司環(huán)安衛(wèi)政策要求使環(huán)境暨安全衛(wèi)生管理成效日益顯著,不僅符合國內(nèi)環(huán)保、勞安法令要求,同時也能達到國際環(huán)保、安全衛(wèi)生標準. 2003年通過ISO14001環(huán)境管理系統(tǒng)驗證,秉持“污染預防、持續(xù)改善”之原則,公司事業(yè)廢棄物產(chǎn)出量逐年降低,可回收、再利用之廢棄物比例逐年提高,各項排放檢測數(shù)據(jù)符合政府法規(guī)要求.并由原材料管控禁用或限用環(huán)境危害物質(zhì)與國際大廠對于綠色生產(chǎn)及綠色產(chǎn)品的要求相符,于2004年通過SONY 綠色伙伴(Green Partner)驗證.
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石英晶振電路設計匹配問題：
一般來說,微處理器的振蕩電路由考畢茲電路顯示派生如下：
鎘和CG是外部負載電容,其中已建成的芯片組. （請參閱芯片組的規(guī)格）
Rf為具有200KΩ?1MΩ反饋電阻.它的內(nèi)置芯片一般設置.
Rd為限流電阻470Ω與1KΩ?.這個阻力是沒有必要的公共電路,但僅用于具有高電源電路.
一個穩(wěn)定的振蕩電路需要的負電阻,其值應是晶體阻力的至少五倍.它可寫為|-R|>5的Rr.
例如,為了獲得穩(wěn)定的振蕩電路中,IC的負電阻的值必須小于？200Ω時的晶體的電阻值是40Ω.負阻“的標準來評估一個振蕩電路的質(zhì)量.在某些情況下,例如老化,熱變化,電壓變化,以及等等,電路可能不會產(chǎn)生振蕩的“Q”值是低的.衡量負電阻（-R）以下說明：線路連接的電阻（R）與晶體串聯(lián)
（2）從起點到振蕩的停止點調(diào)整R的值.
（3）振蕩期間測量R的值.
（4）你將能夠獲得負電阻的值,|•R|= R +的Rr,和RR =晶體的阻力.
附：所連接的電路的雜散電容,可能會影響測定值.
如果晶體的參數(shù)是正常的,但它不工作穩(wěn)步振蕩電路中,我們將不得不找出IC的電阻值是否過低驅(qū)動電路.如果是這樣的話,我們有三種方法來改善這樣的情況：
降低外部電容（Cd和CG）的值,并采用其他晶體具有較低負載電容（CL）.
采用具有較低電阻（RR）的晶體.
使用光盤和CG的不等價的設計.我們可以增加鎘（XOUT）的負載電容和降低CG（辛）的負載電容以提高從辛波形幅度將在其后端電路中使用的輸出.當有信號輸出從XOUT但不辛,其表示后面的功耗的情況下 - 電極后端電路是極其巨大的.我們可以添加一個緩沖電路的輸出和它的后電極之間,以驅(qū)動后端電路.
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