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  • 首頁(yè)進(jìn)口晶振ILSI晶振ILSI晶振,ILCX04晶振,ILCX04-FB1F18-20.000晶振

      ILSI晶振,ILCX04晶振,ILCX04-FB1F18-20.000晶振

    • 產(chǎn)品型號(hào):52177355
    • 頻率:6~150MHZ
    • 尺寸:7.0*5.0mm
    • 產(chǎn)品介紹:ILSI晶振,ILCX04晶振,ILCX04-FB1F18-20.000晶振,貼片晶振本身體積小,超薄型石英晶體振蕩器,特別適用于有目前高速發(fā)展的高端電子數(shù)碼產(chǎn)品,因?yàn)榫д癖旧硇⌒突枨蟮?..
    • RoHS RoHS2


       ILSI晶振,ILCX04晶振,ILCX04-FB1F18-20.000晶振,貼片晶振本身體積小,超薄型石英晶體振蕩器,特別適用于有目前高速發(fā)展的高端電子數(shù)碼產(chǎn)品,因?yàn)榫д癖旧硇⌒突枨蟮氖袌?chǎng)領(lǐng)域,小型,薄型是對(duì)應(yīng)陶瓷振蕩器(偏差大)和普通的石英晶體振蕩器(偏差小)的中間領(lǐng)域的一種性?xún)r(jià)比較出色的產(chǎn)品.產(chǎn)品廣泛用于筆記本電腦,無(wú)線電話(huà),衛(wèi)星導(dǎo)航SSD,USB,Blu-ray等用途,符合無(wú)鉛焊接的高溫回流焊曲線特性.
        ILSI America成立于1987年,總部位于加州科斯塔梅薩。當(dāng)時(shí)的商業(yè)模式很簡(jiǎn)單,成為晶體和時(shí)鐘振蕩器的供應(yīng)商,以支持北美頻率控制市場(chǎng)。
        在隨后的29年中,隨著全球頻率控制產(chǎn)品市場(chǎng)需求呈指數(shù)級(jí)增長(zhǎng)和全球化,ILSI通過(guò)有機(jī)增長(zhǎng)和收購(gòu)應(yīng)對(duì)不斷變化的市場(chǎng)和客戶(hù)群。
        1995年,ILSI北京中國(guó)辦事處開(kāi)業(yè)。1998年,ILSI美國(guó)公司搬遷到它現(xiàn)在的位置,這是一個(gè)位于內(nèi)華達(dá)州里諾的10,000平方英尺的世界總部。1999年,ILSI香港中海物流中心開(kāi)業(yè)。2007年ILSI韓國(guó)辦事處的開(kāi)業(yè)完成了我們?cè)诿绹?guó)和亞洲提供真正實(shí)體店的目標(biāo),這些實(shí)體由直接員工提供,以支持我們?cè)诒泵?,墨西哥,亞洲和歐洲快速增長(zhǎng)的客戶(hù)群。
        2013年,ILSI收購(gòu)了MMD Monitor / Quartztek。MMD Monitor / Quartztek的收購(gòu)使我們現(xiàn)有的全球頻率控制打印位置和活躍的客戶(hù)群翻了一番。ILSI收購(gòu)MMD的行為不會(huì)中斷我們的客戶(hù)供應(yīng)鏈。ILSI現(xiàn)在在加利福尼亞州南部的MMD Monitor Monitor / Quartztek所在地的銷(xiāo)售水平顯著提高,因此2013年需要開(kāi)設(shè)兩個(gè)新的區(qū)域銷(xiāo)售辦事處,負(fù)責(zé)處理洛杉磯,加利福尼亞州,加利福尼亞州奧蘭治縣和加利福尼亞州圣地亞哥的地區(qū)。
        ILSI晶振成立于1987年,總部位于加州科斯塔梅薩,是一家全球頻率控制解決方案提供商,并在1995年ILSI Crystal在北京中國(guó)辦事處開(kāi)業(yè).給市場(chǎng)上提供SMD晶振,有源晶振,石英晶體振蕩器等元件.ILSI晶振,ILCX04晶振,ILCX04-FB1F18-20.000晶振.

    Frequency   6.000 MHz to 150.000 MHz
    ESR (Equivalent Series Resistance)  
    6.0MHz – 7.9 MHz 100ΩMax.
    8.0 MHz – 9.9 MHz 60ΩMax.
    10.0 MHz – 13.9 MHz 50Ω Max.
    14.0 MHz – 19.9 MHz 40Ω Max.
    20.0 MHz – 40.0 MHz 30Ω Max.
    30.0 MHz – 150.0 MHz (3 rd O.T.) 80Ω Max.
    Shunt Capacitance (C0)   7 pF Max.
    Frequency Tolerance @ 25ºC  ± ±30 ppm Standard (see Part Number Guide for more options)
    Frequency Stability over
    Temperature
    ±50 ppm Standard (see Part Number Guide for more options)
    Crystal Cut   AT Cut
    Load Capacitance   18 pF Standard (see Part Number Guide for more options)
    Drive Level   100 µW Max.
    Aging  ± ±5 ppm Max. / Year Standard
    Temperature   
    Operating 0ºC to +70ºC Standard (see Part Number Guide for more options
    Storage   -40ºC to +85ºC Standard




    自動(dòng)安裝時(shí)的沖擊:
      石英晶振自動(dòng)安裝和真空化引發(fā)的沖擊會(huì)破壞產(chǎn)品特性并影響這些產(chǎn)品。請(qǐng)?jiān)O(shè)置安裝條件以盡可能將沖擊降至最低,并確保在安裝前未對(duì)晶振特性產(chǎn)生影響。條件改變時(shí),請(qǐng)重新檢查安裝條件。同時(shí),在安裝前后,請(qǐng)確保石英晶振產(chǎn)品未撞擊機(jī)器或其他電路板等。
    每個(gè)封裝類(lèi)型的注意事項(xiàng)
    陶瓷包裝晶振與SON產(chǎn)品
      在焊接陶瓷封裝晶振(陶瓷晶振)和SON產(chǎn)品 (陶瓷包裝是指晶振外觀采用陶瓷制品) 之后,彎曲電路板會(huì)因機(jī)械應(yīng)力而導(dǎo)致焊接部分剝落或封裝分裂(開(kāi)裂)。尤其在焊接這些產(chǎn)品之后進(jìn)行電路板切割時(shí),務(wù)必確保在應(yīng)力較小的位置布局晶體并采用應(yīng)力更小的切割方法。
    陶瓷包裝石英晶振
      在一個(gè)不同擴(kuò)張系數(shù)電路板(環(huán)氧玻璃)上焊接陶瓷封裝石英晶振時(shí),在溫度長(zhǎng)時(shí)間重復(fù)變化時(shí)可能導(dǎo)致端子焊接部分發(fā)生斷裂,請(qǐng)事先檢查焊接特性。ILSI晶振,ILCX04晶振,ILCX04-FB1F18-20.000晶振.


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