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      溫補(bǔ)晶振,有源晶振,高精度晶振,石英晶振DSB211SCB,高穩(wěn)定性晶振

    • 產(chǎn)品型號(hào):32733564
    • 頻率:13~52MHZ
    • 尺寸:2.1*1.7mm,詳解請(qǐng)瀏覽PDF
    • 產(chǎn)品介紹:小型SMD接縫密封石英晶體振蕩器,精度高,覆蓋頻率范圍寬的特點(diǎn),自動(dòng)安裝和回流焊設(shè)計(jì),Optionable待機(jī)輸出三態(tài)輸出功能,電源電壓范圍:1.8V?5 V,高穩(wěn)定性,低抖動(dòng),低...
    • RoHS RoHS2

            高精度晶振,石英晶振DSB211SCB,高穩(wěn)定性晶振
    產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用于,平板筆記本,GPS系統(tǒng),光纖通道,千兆以太網(wǎng),串行ATA,串行連接SCSI,PCI-Express的SDH / SONET發(fā)射基站等領(lǐng)域.符合RoHS/無(wú)鉛.

    料號(hào)                                                 DSB211SCB
    頻率范圍                             13~52MHZ
    負(fù)載電容                       Series, 8pF, 10pF, 20pF
    勵(lì)振ベ                           10μW (200μW max.)
    周波數(shù)偏差             ±30×10−6,±50×10−6,±100×10−6 (at 25℃)
    直列抵抗 300Ωmax 200Ωmax 150Ωmax 120Ωmax 100Ωmax
    周波數(shù)溫度特性                ±50×10−6/ー40~+85℃ (Ref. to 25℃ )
                   ±100×10−6/ー40~+125℃ (Ref. to 25℃ )
                   ±200×10−6/ー40~+150℃ (Ref. to 25℃ )
    保存溫度范圍                           ー40~150℃
    信頼性仕様                             AEC-Q200
    工作電壓                                    1.8V 2.5V 3.3V 5V



    如果由頻率計(jì)數(shù)器測(cè)量的頻率比目標(biāo)頻率高,要增加電容(CL,或Cd以及C 8)的值,以降低頻率到目標(biāo)頻率,反之亦然.請(qǐng)檢查波形幅度是否改善或沒(méi)有經(jīng)過(guò)我們調(diào)整頻率.如果它的改善,這表示該電路的原始設(shè)計(jì)不是調(diào)諧到最佳共振點(diǎn)為晶體的情況.該晶體應(yīng)正常后,諧振點(diǎn)的調(diào)整.如果波形幅度甚至沒(méi)有提高的頻率非常接近目標(biāo)頻率,我們可以通過(guò)以下三種方法改進(jìn):
    方法1:降低產(chǎn)品線路外部電容(Cd和CG)的值,并通過(guò)晶體具有較低負(fù)載電容(CL).
    方法2:采用小電阻(RR)的晶體.
    方法3:使用鎘和CG的不等價(jià)的設(shè)計(jì).
    我們可以增加鎘(XOUT)的負(fù)載電容和降低CG(辛)的負(fù)載電容以提高從辛波形幅度將在其后端電路中使用的輸出.我們建議您使用上面的方法來(lái)節(jié)省成本,保證安全.請(qǐng)用頻率計(jì)數(shù)器來(lái)測(cè)量所述晶體,以確保經(jīng)調(diào)整頻率仍然滿足原說(shuō)明書(shū)后的波形的振幅進(jìn)行了改進(jìn).如果頻率不符合規(guī)格,請(qǐng)采用晶體合適的CL值為根據(jù)您的目標(biāo)頻率.請(qǐng)采用晶體具有較低的CL如果頻率比目標(biāo)頻率,反之亦然高得多系統(tǒng)不能正常工作,由于輸出頻率會(huì)偏差很大.

    1959大和喀左長(zhǎng)谷川在神戶市成立加工電子零件和石英晶體.
    1965開(kāi)始批量生產(chǎn)的晶體諧振器零件.
    1970東京辦事處.
    1976打開(kāi)宮崎廠(目前九州大真空公司)為音叉型石英晶體諧振器生產(chǎn).
    1983大阪證券交易所上市二段.
    1988建立大真空(新加坡)有限公司加強(qiáng)在東盟地區(qū)銷(xiāo)售.
    1990~1991大阪證券交易所上市第一節(jié).建立大真空(德國(guó))公司加強(qiáng)在歐洲的銷(xiāo)售.
    1996取得ISO9001(國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)化組織質(zhì)量管理標(biāo)準(zhǔn)).
    2000獲得ISO14001(國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)化組織的環(huán)境管理系統(tǒng)).
    2010建立大真空(泰國(guó))有限公司
    2013東京證券交易所上市第一節(jié).
    主要產(chǎn)品
    石英晶片(Crystal Wafer, Crystal Blank)
    廣泛用途石英晶體(Crystal)
    小型化貼片晶振(SMD Crystal)
    一般及精密有源晶振(XO)
    小型化貼片石英晶體振蕩器(SMD XO)
    壓控有源晶振(VCXO)
    壓控溫補(bǔ)振蕩器(VC/TCXO)
    恆溫石英晶振 (OCXO)

             大真空晶體科技股份有限公司,依據(jù)‘ISO 14001環(huán)境/OHSAS-18001安衛(wèi)管理系統(tǒng)’要求制定本‘環(huán)境/安衛(wèi)手冊(cè)’,以界定本公司環(huán)境/安衛(wèi)管理系統(tǒng)之范圍,包括任何排除之細(xì)節(jié)及調(diào)整,并指引環(huán)境/安衛(wèi)管理系統(tǒng)與各書(shū)面、辦法書(shū)之對(duì)應(yīng)關(guān)系,包含在環(huán)境/安衛(wèi)管理系統(tǒng)內(nèi)之流程順序及交互作用的描述.本公司環(huán)境/安衛(wèi)管理系統(tǒng)之適用范圍包含公司所有的活動(dòng)、產(chǎn)品及服務(wù). 大真空晶體科技股份有限公司藉由環(huán)境/安衛(wèi)管理系統(tǒng)的推動(dòng)執(zhí)行,以整合內(nèi)部資源,奠定經(jīng)營(yíng)管理的基礎(chǔ).

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