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首頁(yè)進(jìn)口晶振 Oscilent晶振Oscilent晶振,433-24.0M-3EN-TTS晶振,進(jìn)口有源晶振

Oscilent晶振,433-24.0M-3EN-TTS晶振,進(jìn)口有源晶振

產(chǎn)品型號(hào)：70583070
頻率：1.544~133.333MHZ
尺寸：7.0*5.0mm
產(chǎn)品介紹：Oscilent晶振,433-24.0M-3EN-TTS晶振,進(jìn)口有源晶振,小型SMD有源晶振,從最初超大體積到現(xiàn)在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm體積,有著翻天覆地的改變,體積的變...

Oscilent晶振,433-24.0M-3EN-TTS晶振,進(jìn)口有源晶振,小型SMD有源晶振,從最初超大體積到現(xiàn)在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm體積,有著翻天覆地的改變,體積的變小也使產(chǎn)品帶來(lái)了更高的穩(wěn)定性能,接縫密封石英晶體振蕩器,精度高,覆蓋頻率范圍寬的特點(diǎn),SMD高速自動(dòng)安裝和高溫回流焊設(shè)計(jì),Optionable待機(jī)輸出三態(tài)輸出功能,電源電壓范圍:1.8V~5V,高穩(wěn)定性,低抖動(dòng),低功耗,主要應(yīng)用領(lǐng)域:無(wú)線通訊,高端智能手機(jī),平板筆記本W(wǎng)LAN,藍(lán)牙,數(shù)碼相機(jī),DSL和其他IT產(chǎn)品的晶振應(yīng)用,三態(tài)功能,PC和LCDM等高端數(shù)碼領(lǐng)域,符合RoHS/無(wú)鉛.
Oscilent的頻率控制元件產(chǎn)品系列因其可靠性，耐用性和性能而廣受認(rèn)可。我們的產(chǎn)品符合國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)和配置。因此，每一款Oscilent產(chǎn)品都能滿足您的需求。此外，我們不斷擴(kuò)展和升級(jí)我們的生產(chǎn)流程，以確保利用新技術(shù)來(lái)保護(hù)和提高產(chǎn)品的完整性。
我們的工廠已獲得ISO-9002質(zhì)量管理體系認(rèn)證。
質(zhì)量保證從原材料到最終產(chǎn)品開始，使用大量的設(shè)計(jì)，材料控制和IQC，IPQC，QQC測(cè)試程序檢查，以確保我們的產(chǎn)品的高品質(zhì)。QC / QA實(shí)驗(yàn)室不斷進(jìn)行質(zhì)量保證調(diào)查和分析，以確保零缺陷標(biāo)準(zhǔn)。
Oscilent是全球頻率控制設(shè)備制造商，在SAW濾波器，晶體振蕩器，陶瓷諧振器和石英晶體產(chǎn)品類別中提供廣泛的優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品。現(xiàn)在可以咨詢康比電子技術(shù)人員了解Oscilent晶振的標(biāo)準(zhǔn)SAW濾波器，晶體振蕩器，陶瓷諧振器，RF濾波器和石英晶體產(chǎn)品的完整系列。我們屢獲殊榮的設(shè)計(jì)人員非常樂(lè)意評(píng)估和測(cè)試您的定制要求。Oscilent晶振,433-24.0M-3EN-TTS晶振,進(jìn)口有源晶振.

PARAMETERS	CONDITIONS	CHARACTERISTICS		UNITS
Output Logic	-	HCMOS / TTL Output		-
Input Voltage (Vdd)	-	3.3 ±10%	5.0 ±10%	VDC
Frequency Range (f O )	-	1.544 ~ 133.333		MHz
Operating Temperature (T OPR )	-	0 ~ +70 (Std.) / -40 ~ 85 (Option)		°C
Storage Temperature (T STG )	-	-55 ~ +125		°C
Frequency Stability	a + b + c + d	±25, ±50, ±100 max.		PPM
	(a) Frequency Tolerance	Inclusive of Overall Stability		-
	(b) Temperature Stability	Inclusive of Overall Stability (Operating Temperature)		-
	(c) Input Voltage Stability	Inclusive of Overall Stability (Vdd ±10%)		-
	(d) Load Stability	Inclusive of Overall Stability (RL ±5%)		-
Current Consumption	-	12 ~ 60 max.	25 ~ 100 max.	mA
Aging	@ 25°C	±5 max.		PPM/Y
Rise Time (T R ) / Fall Time (T F )	-	8 max. (0.4V to 2.4V w/ TTL, 20% ~ 80% / HCMOS)		nS
PIN 1 Tri-State	-	Output		-
Output Voltage High "1" VOH	TTL Load	2.4 min.		VDC
	HCMOS Load	2.7 min.	VDD-0.5 min.
Output Voltage Low "0" VOL	TTL Load	0.4 max.		VDC
	HCMOS Load	0.5 max.
Duty Cycle	-	50 ±10 (Std.) / 50 ±5 (Option)		%
Start-Up Time (T S )	1~ 35 MHz	4 max		mS
	35 ~ 125.000 MHz	10 max.
Jitter	(Bandwidth 12Khz ~ 20Mhz)	±1		ps RMS

自動(dòng)安裝時(shí)的沖擊：
  石英晶振自動(dòng)安裝和真空化引發(fā)的沖擊會(huì)破壞產(chǎn)品特性并影響這些產(chǎn)品。請(qǐng)?jiān)O(shè)置安裝條件以盡可能將沖擊降至最低,并確保在安裝前未對(duì)晶振特性產(chǎn)生影響。條件改變時(shí),請(qǐng)重新檢查安裝條件。同時(shí),在安裝前后,請(qǐng)確保石英晶振產(chǎn)品未撞擊機(jī)器或其他電路板等。
每個(gè)封裝類型的注意事項(xiàng)
陶瓷包裝晶振與SON產(chǎn)品
在焊接陶瓷封裝晶振(陶瓷晶振)和SON產(chǎn)品 (陶瓷包裝是指晶振外觀采用陶瓷制品) 之后,彎曲電路板會(huì)因機(jī)械應(yīng)力而導(dǎo)致焊接部分剝落或封裝分裂（開裂）。尤其在焊接這些產(chǎn)品之后進(jìn)行電路板切割時(shí),務(wù)必確保在應(yīng)力較小的位置布局晶體并采用應(yīng)力更小的切割方法。
陶瓷包裝石英晶振
在一個(gè)不同擴(kuò)張系數(shù)電路板（環(huán)氧玻璃）上焊接陶瓷封裝石英晶振時(shí),在溫度長(zhǎng)時(shí)間重復(fù)變化時(shí)可能導(dǎo)致端子焊接部分發(fā)生斷裂,請(qǐng)事先檢查焊接特性。Oscilent晶振,433-24.0M-3EN-TTS晶振,進(jìn)口有源晶振.

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