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  • 首頁進(jìn)口晶振Shinsung晶振新松晶振,SXO-D-S晶振,SXO-D-S-33ST-30HZ-26.000MHz晶振

      新松晶振,SXO-D-S晶振,SXO-D-S-33ST-30HZ-26.000MHz晶振

    • 產(chǎn)品型號(hào):9459455
    • 頻率:0.75~160MHZ,160~800MHZ
    • 尺寸:7.0*5.0mm
    • 產(chǎn)品介紹:新松晶振,SXO-D-S晶振,SXO-D-S-33ST-30HZ-26.000MHz晶振,小型SMD有源晶振,從最初超大體積到現(xiàn)在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm體積,有著翻天覆地的改變,體...
    • RoHS RoHS2


        新松晶振,SXO-D-S晶振,SXO-D-S-33ST-30HZ-26.000MHz晶振,小型SMD有源晶振,從最初超大體積到現(xiàn)在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm體積,有著翻天覆地的改變,體積的變小也使產(chǎn)品帶來了更高的穩(wěn)定性能,接縫密封石英晶體振蕩器,精度高,覆蓋頻率范圍寬的特點(diǎn),SMD高速自動(dòng)安裝和高溫回流焊設(shè)計(jì),Optionable待機(jī)輸出三態(tài)輸出功能,電源電壓范圍:1.8V~5V,高穩(wěn)定性,低抖動(dòng),低功耗,主要應(yīng)用領(lǐng)域:無線通訊,高端智能手機(jī),平板筆記本W(wǎng)LAN,藍(lán)牙,數(shù)碼相機(jī),DSL和其他IT產(chǎn)品的晶振應(yīng)用,三態(tài)功能,PC和LCDM等高端數(shù)碼領(lǐng)域,符合RoHS/無鉛.
        Shinsung晶振自成立以來,一直堅(jiān)守以顧客為中心,基于價(jià)值的管理,人類和諧的價(jià)值,為社會(huì)創(chuàng)造出巨大的價(jià)值.
       我們認(rèn)為我們的客戶是合作伙伴,并努力滿足并超越他們對(duì)質(zhì)量,客戶服務(wù)和價(jià)值的要求我們是最新的Smd或通孔型晶體單元,時(shí)鐘OSC,TCXO,VCXO,MCF等,并提供高產(chǎn)品 質(zhì)量穩(wěn)定,穩(wěn)定性高。產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于電子行業(yè),包括電信,微處理器,汽車,儀器儀表和醫(yī)療應(yīng)用。
       Shinsung SAW Electronics在新的加工和測(cè)試結(jié)構(gòu)設(shè)備上的投資確保公司將繼續(xù)提供卓越的設(shè)計(jì),并提供持續(xù)的新產(chǎn)品流,以滿足客戶在當(dāng)前和未來的需求。
       我們將繼續(xù)追求質(zhì)量管理,為客戶提供高品質(zhì)的產(chǎn)品和服務(wù).
       SHNSUNG Crystal成立于1999年,中文新松晶振,主要研發(fā)生產(chǎn)銷售石英晶振,OSC振蕩器,TCXO振蕩器,溫補(bǔ)晶振等頻率元件,并確保每一顆晶振完美程度,以高質(zhì)量,高穩(wěn)定性的產(chǎn)品,吸引了無數(shù)懂行道的名家關(guān)注.新松晶振,SXO-D-S晶振,SXO-D-S-33ST-30HZ-26.000MHz晶振.

    frequency range 0.75 ~ 160.0MHz 160.1 ~ 800.0MHz REMARK
    frequency stability  ± 20ppm ~ ± 100ppm ( overall )  
    supply voltage V DD  3.3V ± 5%  
    input current  100 mA max  
    operating temperature  STD. -10℃ ~ 70℃ / Option : -40℃ ~ 90℃  
    storage temperature  -55℃ ~ 125℃  
    aging  ±3.0ppm max at +25℃ ±3℃ for first year  
    intergrate jitter RMS    1.0ps RMS (max) 2.5ps RMS (max) Intergrated 12KHz to 20MHz
    output swing  0.35Vp-p typ. / 0.25Vp-p min.  
    offset voltage  1.25V ± 0.125V  
    load 100Ω differential  
    rise / fall time 0.7ns typ. / 1.0ns max ( 20% to 80% of output waveform )  
    phase noise  @10 Hz  -75 -65 offset from carrier
     @100 Hz  -95 -95  
    @1 KHz  -125 -120  
    @10 KHz -140 -125  
    @100 KHz -145 -121  
    start up time  10 mS MAX  
    Tristate  enable : 0.7 V DD (min) / disable : 0.3 V DD (max)  
    All specifications are subject to change without notice



    存儲(chǔ)事項(xiàng)
        (1) 在更高或更低溫度或高濕度環(huán)境下長時(shí)間保存晶體產(chǎn)品時(shí),會(huì)影響頻率穩(wěn)定性或焊接性。請(qǐng)?jiān)谡囟群蜐穸拳h(huán)境下保存這些晶體產(chǎn)品,并在開封后盡可能進(jìn)行安裝,以免長期儲(chǔ)藏。
        正常溫度和濕度:
        溫度:+15°C 至 +35°C,濕度 25 % RH 至 85 % RH(請(qǐng)參閱“測(cè)試點(diǎn)JIS C 60068-1 / IEC 60068-1的標(biāo)準(zhǔn)條件”章節(jié)內(nèi)容)。
        (2) 請(qǐng)仔細(xì)處理內(nèi)外盒與卷帶。外部壓力會(huì)導(dǎo)致卷帶受到損壞。
        安裝時(shí)注意事項(xiàng)
        耐焊性
        加熱包裝材料至+150°C以上會(huì)破壞產(chǎn)品特性或損害產(chǎn)品。如需在+150°C以上焊接晶體產(chǎn)品,建議使用SMD產(chǎn)品。在下列回流條件下,對(duì)晶體產(chǎn)品甚至SMD產(chǎn)品使用更高溫度,會(huì)破壞產(chǎn)品特性。建議使用下列配置情況的回流條件。安裝這些產(chǎn)品之前,應(yīng)檢查焊接溫度和時(shí)間。同時(shí),在安裝條件更改的情況下,請(qǐng)?jiān)俅芜M(jìn)行檢查。如果需要焊接的石英晶體產(chǎn)品在下列配置條件下進(jìn)行焊接,請(qǐng)聯(lián)系我們以獲取耐熱的相關(guān)信息。
       (1)柱面式產(chǎn)品和DIP產(chǎn)品
        型號(hào) 焊接條件
        [ 柱面式 音叉晶振]
        C-類型,C-2-類型,C-4-類型 +280°C或低于@最大值5 s
        請(qǐng)勿加熱封裝材料超過+150°C
        [ 柱面式 ]
        CA-301
        [ DIP ]
        SG-51 / 531, SG-8002DB DC,
        RTC-72421 / 7301DG +260°C或低于@最大值 10 s
        請(qǐng)勿加熱封裝材料超過+150°C
        (2)SMD晶振產(chǎn)品回流焊接條件(實(shí)例)
        用于JEDEC J-STD-020D.01回流條件的耐熱可用性需個(gè)別判斷。請(qǐng)聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)信息。
        盡可能使溫度變化曲線保持平滑。新松晶振,SXO-D-S晶振,SXO-D-S-33ST-30HZ-26.000MHz晶振.

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