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  • 首頁進(jìn)口晶振Silicon晶振501BCA16M0000CAG,16MHz,3225mm,Silicon有源晶振

      501BCA16M0000CAG,16MHz,3225mm,Silicon有源晶振

    • 產(chǎn)品型號:36413331
    • 頻率:16MHz
    • 尺寸:3.2x2.5mm
    • 產(chǎn)品介紹:501BCA16M0000CAG,16MHz,3225mm,Silicon有源晶振,Si501,辦公設(shè)備應(yīng)用晶振,美國進(jìn)口晶振,Silicon晶振,型號:Si501,編碼為:501BCA16M0000CAG,小體積晶振尺寸:...
    • RoHS RoHS2


    501BCA16M0000CAG,16MHz,3225mm,Silicon有源晶振,Si501,辦公設(shè)備應(yīng)用晶振,美國進(jìn)口晶振,Silicon晶振,型號:Si501,編碼為:501BCA16M0000CAG,小體積晶振尺寸:3.2x2.5mm封裝,四腳貼片晶振,有源晶振,石英晶振,石英晶體振蕩器具有超小型,輕薄型,高精度,高性能,高品質(zhì)等特點(diǎn)。應(yīng)用于:存儲(chǔ)(SATA/SAS/PCIe),通用處理器,工業(yè)控制器,嵌入式控制器,機(jī)控制,流量控制,辦公室/家庭自動(dòng)化,IP攝像頭/監(jiān)控,顯示和控制面板,戶外電子設(shè)備,多功能打印機(jī)等。
    Si501 CMEMS振蕩器系列為傳統(tǒng)的晶體振蕩器提供了單片的,基于mems的IC替代品。貼片晶振,硅實(shí)驗(yàn)室的CMEMS技術(shù)將標(biāo)準(zhǔn)CMOS+MEMS結(jié)合在一個(gè)單片IC集成電路中,提供集成、高質(zhì)量和高可靠性的振蕩器。每個(gè)設(shè)備都經(jīng)過工廠測試和配置,以保證其在電壓、工藝、溫度、沖擊、振動(dòng)和老化等方面的性能。


    501BCA16M0000CAG,16MHz,3225mm,Silicon有源晶振,Si501,辦公設(shè)備應(yīng)用晶振,參數(shù)表


    501BCA16M0000CAG,16MHz,3225mm,Silicon有源晶振,Si501,辦公設(shè)備應(yīng)用晶振,尺寸圖



    501BCA16M0000CAG,16MHz,3225mm,Silicon有源晶振,Si501,辦公設(shè)備應(yīng)用晶振
    產(chǎn)品特點(diǎn):

    寬頻率范圍:32kHz到100MHz
    Si501單頻w/OE
    Si502雙頻w/OE/FS
    Si503四頻w/FS
    ±20/30/50 ppm頻率穩(wěn)定性,包括10年老化
    LVCMOS輸出
    低周期抖動(dòng)
    低功率
    連續(xù)供電電壓范圍:+1.71V至+3.63V
    用戶可選擇的上升/下降選項(xiàng)
    無故障啟動(dòng)和停止
    優(yōu)異的短期穩(wěn)定性,長期老化
    行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)占地面積:2x2.5mm、2.5x3.2mm、3.2x5mm石英晶振
    符合RoHS,不含鉛
    交付周期短:<2周
    –20至+70°C:外部商用
    -40至+85°C:工業(yè)




    原廠代碼 進(jìn)口晶振 型號 頻率 電壓
    501BCAM032768DAG Silicon晶振 Si501 32.768kHz 3.3V
    501BAA16M0000DAF Silicon晶振 Si501 16MHz 3.3V
    501BAA50M0000BAF Silicon晶振 Si501 50MHz 3.3V
    501BCA16M0000BAF Silicon晶振 Si501 16MHz 3.3V
    501BCA16M0000CAF Silicon晶振 Si501 16MHz 3.3V
    501BAA16M0000BAG Silicon晶振 Si501 16MHz 3.3V
    501BAA16M0000CAG Silicon晶振 Si501 16MHz 3.3V
    501BCA16M0000BAG Silicon晶振 Si501 16MHz 3.3V
    501BCA16M0000CAG Silicon晶振 Si501 16MHz 3.3V
    501BCAM032768BAF Silicon晶振 Si501 32.768kHz 3.3V
    501BCAM032768CAF Silicon晶振 Si501 32.768kHz 3.3V
    501BCAM032768CAG Silicon晶振 Si501 32.768kHz 3.3V
    501BCAM032768BAG Silicon晶振 Si501 32.768kHz 3.3V
    501BCAM032768DAF Silicon晶振 Si501 32.768kHz 3.3V
    501BCA16M0000DAF Silicon晶振 Si501 16MHz 3.3V
    501BCA16M0000DAG Silicon晶振 Si501 16MHz 3.3V
    501BAA16M0000BAF Silicon晶振 Si501 16MHz 3.3V
    501BAA16M0000CAF Silicon晶振 Si501 16MHz 3.3V
    501BAA16M0000DAG Silicon晶振 Si501 16MHz 3.3V
    501BAA50M0000BAG Silicon晶振 Si501 50MHz 3.3V
    501BAA50M0000CAF Silicon晶振 Si501 50MHz 3.3V
    501BAA50M0000CAG Silicon晶振 Si501 50MHz 3.3V
    501BAA50M0000DAF Silicon晶振 Si501 50MHz 3.3V
    501BAA50M0000DAG Silicon晶振 Si501 50MHz 3.3V
    501BCAM032768BAFR 有源晶振 Si501 32.768kHz 3.3V
    501BCAM032768BAGR Silicon晶振 Si501 32.768kHz 3.3V
    501BCAM032768CAFR Silicon晶振 Si501 32.768kHz 3.3V
    501BCAM032768CAGR Silicon晶振 Si501 32.768kHz 3.3V
    501BCAM032768DAFR Silicon晶振 Si501 32.768kHz 3.3V
    501BCAM032768DAGR Silicon晶振 Si501 32.768kHz 3.3V
    501BCA16M0000BAFR Silicon晶振 Si501 16MHz 3.3V
    501BCA16M0000BAGR Silicon晶振 Si501 16MHz 3.3V
    501BCA16M0000CAFR Silicon晶振 Si501 16MHz 3.3V
    501BCA16M0000CAGR Silicon晶振 Si501 16MHz 3.3V
    501BCA16M0000DAFR Silicon晶振 Si501 16MHz 3.3V
    501BCA16M0000DAGR Silicon晶振 Si501 16MHz 3.3V
    501BAA16M0000BAFR Silicon晶振 Si501 16MHz 3.3V
    501BAA16M0000BAGR Silicon晶振 Si501 16MHz 3.3V
    501BAA16M0000CAFR Silicon晶振 Si501 16MHz 3.3V
    501BAA16M0000CAGR Silicon晶振 Si501 16MHz 3.3V
    501BAA16M0000DAFR Silicon晶振 Si501 16MHz 3.3V
    501BAA16M0000DAGR Silicon晶振 Si501 16MHz 3.3V
    501BAA50M0000BAFR Silicon晶振 Si501 50MHz 3.3V
    501BAA50M0000BAGR Silicon晶振 Si501 50MHz 3.3V
    501BAA50M0000CAFR Silicon晶振 Si501 50MHz 3.3V
    501BAA50M0000CAGR Silicon晶振 Si501 50MHz 3.3V
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    501BAA50M0000DAGR Silicon晶振 Si501 50MHz 3.3V
     
     

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