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首頁進(jìn)口晶振 Suntsu晶振Suntsu晶振,SQG22L晶振,SQG22L3A481-8.000M晶振

Suntsu晶振,SQG22L晶振,SQG22L3A481-8.000M晶振

產(chǎn)品型號(hào)：36095733
頻率：8~1500MHZ
尺寸：2.5*2.0mm
產(chǎn)品介紹：Suntsu晶振,SQG22L晶振,SQG22L3A481-8.000M晶振,有源晶振,是指晶體本身起振需要外部電壓供應(yīng),起振后可直接驅(qū)動(dòng)CMOS集成電路,產(chǎn)品本身已實(shí)現(xiàn)與薄型IC(TSSOP封裝,TV...

Suntsu晶振,SQG22L晶振,SQG22L3A481-8.000M晶振,有源晶振,是指晶體本身起振需要外部電壓供應(yīng),起振后可直接驅(qū)動(dòng)CMOS集成電路,產(chǎn)品本身已實(shí)現(xiàn)與薄型IC(TSSOP封裝,TVSOP封裝)同樣的1mm厚度,斷開時(shí)的消費(fèi)電流是15µA以下,編帶包裝方式可對(duì)應(yīng)自動(dòng)搭載及IR回流焊接(無鉛對(duì)應(yīng))產(chǎn)品有幾種電壓供選1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以應(yīng)對(duì)不同IC產(chǎn)品需要.
在接下來的三年中，我們的產(chǎn)品線迅速增長。我們從專注于超小型晶體和TCXO開始，到提供各種低噪聲振蕩器和VCXO。2007年，我們進(jìn)一步擴(kuò)展了我們的產(chǎn)品線，包括大量高穩(wěn)定性/低噪聲OCXO，以滿足基站和軍事通信設(shè)備應(yīng)用等需要晶體的最高頻率穩(wěn)定性的需求。
在2008年，我們將目光投向了精確時(shí)間模塊，并推出了3款GPS紀(jì)律的OCXO。其中之一，打破了工業(yè)界的第一個(gè)“板上安裝的單位”。
今天，Suntsu能夠滿足最基本的最嚴(yán)格的頻率控制要求。我們的月產(chǎn)能在過去幾年中大幅增長，截至2009年，我們每個(gè)月可以支持3千3百萬個(gè)組件。
我們經(jīng)過廣泛培訓(xùn)的銷售人員隨時(shí)可以幫助您從產(chǎn)品的原型階段到全面生產(chǎn)。我們非常自豪能夠在最短的時(shí)間內(nèi)為您提供最新的信息。我們認(rèn)識(shí)到新興技術(shù)的上市時(shí)間的重要性，并開發(fā)了內(nèi)部基礎(chǔ)設(shè)施以滿足您的需求。
美國Suntsu晶振公司成立于2002年,是新生代頻率元器件廠商.suntsu Crystal也稱松圖晶振,總部位于美國加利福尼亞奧蘭治縣.與中韓臺(tái)合資成立.并專注于有源晶振,石英晶體振蕩器,SMD晶振等元件.Suntsu晶振,SQG22L晶振,SQG22L3A481-8.000M晶振.

ELECTRICAL PARAMETERS		UNITS	MIN.	TYP.	MAX.	REMARKS
Frequency Range		MHZ	8		1500
Frequency Stability (Includes Initial Tolerance at 25°C, Frequency Stability over Operating Temperature, Output Load Change, Supply Voltage Change, and First Year Aging at 25°C.)		ppm	-20		+20	See part numbering guide for options
Operating Temperature		ºC	-40		+85	See part numbering guide for options
Storage Temperature		ºC	-55		+125
Supply Voltage (V DD )	2.5V Option	V	2.375	2.5	2.625
Supply Voltage (V DD )	3.3V Option	V	3.135	3.3	3.465
Current (I DD )	2.5V Option	mA			35
Current (I DD )	3.3V Option	mA			40
Output Load (LVDS)		Ω			100
Output Logic Levels	Output Logic High (V OH )	V		1.43	1.6
Output Logic Levels	Output Logic Low (V OL )	V	0.9	1.1
Differential Output Voltage (V OD )		mV	247	330	454
Differential Output Error ( D V OD )		mV			50
Offset Voltage (V OS )		V	1.125	1.250	1.375
Offset Error ( D V OS )		mV			50
Rise (T R ) and Fall (T F ) Time		ns		0.5	1.0
Symmetry (Duty Cycle)		%	45	50	55
Tri-State Input Voltage	Enable	V	0.7*V DD			No Connection.
Tri-State Input Voltage	Disable	V			0.3*V DD
Start-Up Time		ms			10
Phase Jitter (12kHz ~ 20MHz)		ps		0.5	1.5

自動(dòng)安裝時(shí)的沖擊：
  石英晶振自動(dòng)安裝和真空化引發(fā)的沖擊會(huì)破壞產(chǎn)品特性并影響這些產(chǎn)品。請(qǐng)?jiān)O(shè)置安裝條件以盡可能將沖擊降至最低,并確保在安裝前未對(duì)晶振特性產(chǎn)生影響。條件改變時(shí),請(qǐng)重新檢查安裝條件。同時(shí),在安裝前后,請(qǐng)確保石英晶振產(chǎn)品未撞擊機(jī)器或其他電路板等。
每個(gè)封裝類型的注意事項(xiàng)
陶瓷包裝晶振與SON產(chǎn)品
在焊接陶瓷封裝晶振(陶瓷晶振)和SON產(chǎn)品 (陶瓷包裝是指晶振外觀采用陶瓷制品) 之后,彎曲電路板會(huì)因機(jī)械應(yīng)力而導(dǎo)致焊接部分剝落或封裝分裂（開裂）。尤其在焊接這些產(chǎn)品之后進(jìn)行電路板切割時(shí),務(wù)必確保在應(yīng)力較小的位置布局晶體并采用應(yīng)力更小的切割方法。
陶瓷包裝石英晶振
在一個(gè)不同擴(kuò)張系數(shù)電路板（環(huán)氧玻璃）上焊接陶瓷封裝石英晶振時(shí),在溫度長時(shí)間重復(fù)變化時(shí)可能導(dǎo)致端子焊接部分發(fā)生斷裂,請(qǐng)事先檢查焊接特性。Suntsu晶振,SQG22L晶振,SQG22L3A481-8.000M晶振.

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