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低ESR50兆赫晶振優(yōu)化性... 隨著最近更精確的封裝制造技術(shù),將晶體和有源電路管芯包含在同一封裝中已經(jīng)變得可行.對(duì)于...

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石英晶體振蕩器振蕩電路... 振蕩電流是一種大小和方向都隨周期發(fā)生變化的電流,能產(chǎn)生振蕩電流的電路就叫做振蕩電路...

首頁進(jìn)口晶振 Transko晶振特蘭斯科晶振,TSM16晶振,TSM16-H50HM33ST-12.000M-TR晶振

特蘭斯科晶振,TSM16晶振,TSM16-H50HM33ST-12.000M-TR晶振

產(chǎn)品型號(hào)：90885886
頻率：1~80MHZ
尺寸：1.6*1.2mm
產(chǎn)品介紹：特蘭斯科晶振,TSM16晶振,TSM16-H50HM33ST-12.000M-TR晶振,小型SMD有源晶振,從最初超大體積到現(xiàn)在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm體積,有著翻天覆地的改變,體...

特蘭斯科晶振,TSM16晶振,TSM16-H50HM33ST-12.000M-TR晶振,小型SMD有源晶振,從最初超大體積到現(xiàn)在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm體積,有著翻天覆地的改變,體積的變小也使產(chǎn)品帶來了更高的穩(wěn)定性能,接縫密封石英晶體振蕩器,精度高,覆蓋頻率范圍寬的特點(diǎn),SMD高速自動(dòng)安裝和高溫回流焊設(shè)計(jì),Optionable待機(jī)輸出三態(tài)輸出功能,電源電壓范圍:1.8V~5V,高穩(wěn)定性,低抖動(dòng),低功耗,主要應(yīng)用領(lǐng)域:無線通訊,高端智能手機(jī),平板筆記本W(wǎng)LAN,藍(lán)牙,數(shù)碼相機(jī),DSL和其他IT產(chǎn)品的晶振應(yīng)用,三態(tài)功能,PC和LCDM等高端數(shù)碼領(lǐng)域,符合RoHS/無鉛.
讓我們與眾不同的是Transko Advantage –具有快速交付能力。能夠在72小時(shí)內(nèi)提供產(chǎn)品，高度積極的銷售人員為您的頻率控制要求提供優(yōu)異的定價(jià)和解決方案。通過結(jié)合杰出員工的知識(shí)和廣泛背景，能夠解決和定制您的特定項(xiàng)目或設(shè)計(jì)需求。Transko團(tuán)隊(duì)導(dǎo)向的環(huán)境和高效的生產(chǎn)人員不斷讓我們的客戶滿意，并使我們能夠提供最好的支持。
Transko晶振宣布推出適用于基站，無線回程和核心網(wǎng)絡(luò)設(shè)備應(yīng)用的新系列高穩(wěn)定性TCXO TX-P系列。提供CMOS和削波正弦波輸出，在-10°C至60°C的工作溫度范圍內(nèi)具有±0.05ppm的頻率穩(wěn)定性，在-10°C至70°C范圍內(nèi)具有±0.1ppm的頻率穩(wěn)定度，這些器件還具有可選的電壓調(diào)整范圍線性10％時(shí)為±5ppm。此外，由于TX-P系列在100Hz失調(diào)時(shí)可以達(dá)到-130 dBc / Hz，而在26MHz CMOS輸出時(shí)可以達(dá)到-145 dBc / Hz @ 1KHz失調(diào)，因此相位噪聲性能非常出色。成本比OCXO更合理.
Transko晶振成立于1992年,總部位于加州福尼亞州阿納海姆,主要生產(chǎn)Transko貼片晶振,石英晶體,OSC差分晶振,VCXO壓控晶振等頻率元件.美國Transko石英晶振發(fā)展至今仍不斷改進(jìn),并致力于向廣大用戶提供優(yōu)質(zhì)的晶振產(chǎn)品.特蘭斯科晶振,TSM16晶振,TSM16-H50HM33ST-12.000M-TR晶振.

FREQUENCY		1.000MHz ~ 80.000MHz
FREQUENCY STABILITY		±15ppm ~ ±100ppm
OPERATING TEMPERATURE RANGE		STD: 0°C ~ 70°C, Option: -40°C ~ 85°C (See P/N guide for other options)
STORAGE TEMPERATURE RANGE		-55°C ~ 125°C
SUPPLY VOLTAGE ±10%		1.8V DC ~ 3.3V DC
SUPPLY CURRENT		2.0mA max.
OUTPUT	LOGIC FAMILY	HCMOS
	LOAD	15pF
	LEVEL LOGIC ‘1’ (V OH )	V DD - 0.4V min.
	LEVEL LOGIC ‘0’ (V OL )	0.4 V max.
	SYMMETRY(DUTY CYCLE)	STD: 40% / 60% @ 1/2V DD level, Option: 45% / 55%
	RISE AND FALL TIME (Tr/Tf)	5nS max.
	START-UP TIME	5mS max.
STAND-BY VOLTAGE	ENABLE (V IH )	0.7 x V DD ≤ V IH ≤ V DD or N/C
	DISABLE (V IL )	V IL ≤ 0.3 x V DD
ENABLE DELAY TIME		10mS max.
DISABLE DELAY TIME		10mS max.
AGING @ +25°C ±3°C		±3.0ppm / 1 st year max.
PHASE JITTER RMS (12kHz ~ 5MHz)		1.0pS max.

自動(dòng)安裝時(shí)的沖擊：
  石英晶振自動(dòng)安裝和真空化引發(fā)的沖擊會(huì)破壞產(chǎn)品特性并影響這些產(chǎn)品。請(qǐng)?jiān)O(shè)置安裝條件以盡可能將沖擊降至最低,并確保在安裝前未對(duì)晶振特性產(chǎn)生影響。條件改變時(shí),請(qǐng)重新檢查安裝條件。同時(shí),在安裝前后,請(qǐng)確保石英晶振產(chǎn)品未撞擊機(jī)器或其他電路板等。
每個(gè)封裝類型的注意事項(xiàng)
陶瓷包裝晶振與SON產(chǎn)品
在焊接陶瓷封裝晶振(陶瓷晶振)和SON產(chǎn)品 (陶瓷包裝是指晶振外觀采用陶瓷制品) 之后,彎曲電路板會(huì)因機(jī)械應(yīng)力而導(dǎo)致焊接部分剝落或封裝分裂（開裂）。尤其在焊接這些產(chǎn)品之后進(jìn)行電路板切割時(shí),務(wù)必確保在應(yīng)力較小的位置布局晶體并采用應(yīng)力更小的切割方法。
陶瓷包裝石英晶振
在一個(gè)不同擴(kuò)張系數(shù)電路板（環(huán)氧玻璃）上焊接陶瓷封裝石英晶振時(shí),在溫度長時(shí)間重復(fù)變化時(shí)可能導(dǎo)致端子焊接部分發(fā)生斷裂,請(qǐng)事先檢查焊接特性。特蘭斯科晶振,TSM16晶振,TSM16-H50HM33ST-12.000M-TR晶振.

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