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Wi2wi壓控晶振,V29-T-C12000-C-B-D-3-R-X,VC29石英晶振,美國(guó)進(jìn)口晶振,Wi2wi威爾威晶振,型號(hào):VC29系列晶振,編碼為:V29-T-C12000-C-B-D-3-R-X,頻率為:120.000MHz,小體積晶振尺寸:14.0x9.1x4.7mm封裝,VCXO壓控晶振,壓控振蕩器,六腳貼片晶振,有源晶體,COMS晶振,石英晶體振蕩器,石英晶振。VC29系列電壓控制晶體振蕩器(VCXO)確保在苛刻的情況下有精確的頻率。具有超低的相位噪聲,較低的抖動(dòng),和在高振動(dòng)環(huán)境下的優(yōu)異性能,這款VCXO提供了標(biāo)準(zhǔn)頻率和自定義頻率。為您的原型輸入需求、批量生產(chǎn)能力和有競(jìng)爭(zhēng)力的價(jià)格提供快速周轉(zhuǎn)抽樣。有源晶振,具有超小型,輕薄型,低抖動(dòng),低功耗,低相位噪聲,低電源電壓,高精度,高性能,高品質(zhì)等特點(diǎn)。廣泛應(yīng)用于:通訊設(shè)備、無(wú)線網(wǎng)絡(luò),藍(lán)牙模塊,物聯(lián)網(wǎng),儀器儀表、汽車電子,醫(yī)療設(shè)備,安防設(shè)備,數(shù)碼電子,智能家居等應(yīng)用。
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Wi2wi壓控晶振,V29-T-C12000-C-B-D-3-R-X,VC29石英晶振,參數(shù)表
Parameter | Supply Voltage*1 (±10%) | Units | ||
5 | 3.3 | V | ||
Frequency Range*1 | 120.000 | MHz | ||
Frequency Stability*1 | All Causes (Maximum )*2 | Per Option | ppm | |
Frequency Adjustment | Control Voltage Range | 0.5 to 4.5 | 0.3 to 3.0 | V |
Absolute Pull Range (APR) (Minimum) | ±50 | ppm | ||
Linearity (Maximum) | 10 | % | ||
Input Impedance (Minimum) | 50K | Ω | ||
Modulation Bandwidth (Minimum) | 25 | KHz | ||
Temperature Range*1 | Operating | Per Option | ||
Storage | -55 to +125 | |||
Supply Current (Maximum) | 0.750000 to 29.999999 MHz | 25 | 20 | |
30.000000 to 69.999999 MHz | 30 | 25 | mA | |
70.000000 to 160.000000 MHz | 60 | 50 | ||
Output | Per Option | |||
Load | 15pF/10 TTL gates | |||
Duty Cycle (at 50% Vcc) | 40 to 60% (45 to 55% option) | |||
Rise/Fall Times (Maximum) | Rise Time (10% to 90% Vcc) | 5 | ||
Fall Time (90% to 10% Vcc) | 5 | |||
Start up Time (Maximum) | 10 | ms | ||
Output Voltage Levels | High (Minimum) | 90 | % Vcc | |
Low (Maximum) | 10 | |||
Pin 2 (Tri-State)
(6-Pad Option Only)
|
Enable (High Voltage) (Minimum) | 70 | % Vcc | |
Disable (Low Voltage) (Maximum) | 30 | % Vcc | ||
Phase Noise
(Typical For 38.4 MHz)
|
@ 100Hz Offset | -110 | ||
@ 1KHz Offset | -130 | dBc/Hz | ||
@ 10KHz Offset | -140 |
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Wi2wi壓控晶振,V29-T-C12000-C-B-D-3-R-X,VC29石英晶振,尺寸圖

Wi2wi壓控晶振,V29-T-C12000-C-B-D-3-R-X,VC29石英晶振
壓控晶振(VCXO)是通過(guò)紅外加控制電壓使振蕩效率可變或是可以調(diào)制的石英晶體振蕩器,其振蕩頻率由晶體決定,可用控制電壓在小范圍內(nèi)進(jìn)行頻率調(diào)整。VCXO 大多用于鎖相技術(shù)、頻率負(fù)反饋調(diào)制的目的。 控制電壓范圍一般為0V至2V或0V至3V。VCXO的調(diào)諧范圍為±100ppm至±200ppm。



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