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0755-27876201
常見問題
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EPSON晶振,小體積晶振,FC-1610AN晶振,小體積SMD時鐘晶體諧振器,是貼片音叉晶體,千赫頻率元件,應(yīng)用于時鐘模塊,智能手機,全球定位系統(tǒng),因產(chǎn)品本身體積小,SMD編帶型,可應(yīng)用于高性能自動貼片焊接,被廣泛應(yīng)用到各種小巧的便攜式消費電子數(shù)碼時間產(chǎn)品,環(huán)保性能符合ROHS/無鉛標(biāo)準(zhǔn)
石英晶振多層、多金屬的濺射鍍膜技術(shù):是目前研發(fā)及生產(chǎn)高精度、高穩(wěn)定性石英晶體元器件——石英晶振必須攻克的關(guān)鍵技術(shù)之一。石英晶振該選用何鍍材、鍍幾種材料、幾種鍍材的鍍膜順序,鍍膜的工藝方法(如各鍍材的功率設(shè)計等)。使用此鍍膜方法使鍍膜后的晶振附著力增強,貼片晶振頻率更加集中,能控制在最小ppm之內(nèi)
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項目 | 記 號 | FC-1610AN | 條 件 |
頻率 | f_nom | 32.768KHZ | |
電壓 | ppm | 10ppm 20ppm或指定 | |
頂點溫度 | Ti | +25±5°C | |
二級溫度系數(shù) | B | (−3.5±1.0)x10−8/°C2 | |
負(fù)載容量 | CL | 7.0pF/9.0pF/12.5pF | |
串聯(lián)電阻 | R1 | 65kÙ 最大值 | |
絕對最大激勵等級 | DLmax. | 1μW | |
推薦激勵等級 | DL | 0.1μW | |
并聯(lián)電容 | C0 | 0.8pF 典型值 | |
頻率老化程度 | f_age | ±3x10-6 | +25±3°C,第一年 |
工作溫度范圍 | T_use | -40°C~+85°C | |
保存溫度范圍 | T_stg | -55°C~+125°C | 單件保管一年 |
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耐焊性:
將晶振加熱包裝材料至+150°C以上會破壞產(chǎn)品特性或損害產(chǎn)品。如需在+150°C以上焊接石英晶振,建議使用SMD晶振產(chǎn)品。在下列回流條件下,對石英晶振產(chǎn)品甚至SMD晶振使用更高溫度,會破壞晶振特性。建議使用下列配置情況的回流條件。安裝這些貼片晶振之前,應(yīng)檢查焊接溫度和時間。同時,在安裝條件更改的情況下,請再次進(jìn)行檢查。如果需要焊接的晶振產(chǎn)品在下列配置條件下進(jìn)行焊接,請聯(lián)系我們以獲取耐熱的相關(guān)信息。
(1)柱面式產(chǎn)品和DIP產(chǎn)品
晶振產(chǎn)品類型 | 晶振焊接條件 |
插件晶振型,是指石英晶振采用引腳直插模式的情況下 比如:橢圓形引腳插件,圓柱晶體引腳插件 |
手工焊接+300°C或低于3秒鐘 請勿加熱封裝材料超過+150°C |
SMD型貼片晶振,是指石英晶振采用SMT高速焊接,或者回流焊接情況下,有些型號晶振高溫可達(dá)260°,有些只可達(dá)230° |
+260°C或低于@最大值 10 s 請勿加熱封裝材料超過+150°C |
用于JEDEC J-STD-020D.01回流條件的耐熱可用性需個別判斷。請聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)信息。
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盡可能使溫度變化曲線保持平滑

愛普生晶振集團將建立可行的技術(shù)及經(jīng)濟性環(huán)境目標(biāo),并確保其環(huán)境保護活動的質(zhì)量。
愛普生晶振集團公司將關(guān)注所有環(huán)境適用的法律、法規(guī)和協(xié)議的遵守情況。另外為更有效的進(jìn)行環(huán)境保護,將建立自己的特有的環(huán)境標(biāo)準(zhǔn)。
精工愛普生晶振集團將在各領(lǐng)域內(nèi)的商務(wù)運作中實施持續(xù)改進(jìn),包括能源資源的保持,回收再利用以及減少廢棄物等。
EPSON晶振盡可能的采用無害的原材料和生產(chǎn)技術(shù),避免有害物質(zhì)的產(chǎn)生,比如消耗臭氧層物質(zhì)、溫室氣體及其它污染物。集團公司同時將致力于這些物質(zhì)的收集和回收,最小化有害原料的使用。


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