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首頁進口晶振Paltron晶振,貼片晶振,F10晶振

Paltron晶振,貼片晶振,F10晶振

產(chǎn)品型號：56693975
頻率：20~45MHZ
尺寸：6.0*3.5mm
產(chǎn)品介紹：小型貼片石英晶振,外觀尺寸具有薄型表面貼片型石英晶體諧振器,特別適用于有小型化要求的市場領(lǐng)域,比如智能手機

Paltron晶振,貼片晶振,F10晶振,小型貼片石英晶振,外觀尺寸具有薄型表面貼片型石英晶體諧振器,特別適用于有小型化要求的市場領(lǐng)域,比如智能手機,無線藍牙,平板電腦等電子數(shù)碼產(chǎn)品.晶振本身超小型,薄型,重量輕,晶體具有優(yōu)良的耐環(huán)境特性,如耐熱性,耐沖擊性,
貼片晶振晶片邊緣處理技術(shù)：貼片晶振是晶片通過滾筒倒邊，主要是為了去除石英晶振晶片的邊緣效應(yīng)，在實際操作中機器運動方式設(shè)計、滾筒的曲率半徑、滾筒的長短、使用的研磨砂的型號、多少、填充物種類及多少等各項設(shè)計必須合理，有一項不完善都會使晶振晶片的邊緣效應(yīng)不能去除，而石英晶振晶片的諧振電阻過大，用在電路中Q值過小，從而電路不能振動或振動了不穩(wěn)定

Raltron晶振規(guī)格	單位	F10晶振頻率范圍	石英晶振基本條件
標(biāo)準(zhǔn)頻率	f_nom	20~45MHZ	標(biāo)準(zhǔn)頻率
儲存溫度	T_stg	-20°C ～ +70°C	裸存
工作溫度	T_use	-10°C ～ +60°C	標(biāo)準(zhǔn)溫度
激勵功率	DL	200μW Max.	推薦:1μW ～ 100μW
頻率公差	f_— l	±50 × 10^-6 (標(biāo)準(zhǔn)), (±15 × 10^-6 ～ ±50 × 10^-6 可用)	+25°C 對于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明,請聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息,http://diginow.com.cn
頻率溫度特征	f_tem	±30 × 10^-6/-20°C ～ +70°C	超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請聯(lián)系我們.
負載電容	CL	8pF ,10PF,12PF,20PF	不同負載電容要求,請聯(lián)系我們.
串聯(lián)電阻(ESR)	R₁	如下表所示	-40°C — +85°C, DL = 100μW
頻率老化	f_age	±5 × 10^-6 / year Max.	+25°C,第一年

拉隆晶振產(chǎn)品線路焊接安裝時注意事項
耐焊性：
將晶振加熱包裝材料至+150°C以上會破壞產(chǎn)品特性或損害產(chǎn)品。如需在+150°C以上焊接石英晶振,建議使用SMD晶振產(chǎn)品。在下列回流條件下,對石英晶振產(chǎn)品甚至SMD貼片晶振使用更高溫度,會破壞晶振特性。建議使用下列配置情況的回流條件。安裝這些石英晶體諧振器之前,應(yīng)檢查焊接溫度和時間。同時,在安裝條件更改的情況下,請再次進行檢查。如果需要焊接的晶振產(chǎn)品在下列配置條件下進行焊接,請聯(lián)系我們以獲取耐熱的相關(guān)信息。
（1）柱面式產(chǎn)品和DIP產(chǎn)品

晶振產(chǎn)品類型	晶振焊接條件
插件晶振型,是指石英晶振采用引腳直插模式的情況下比如：橢圓形引腳插件,圓柱晶體引腳插件	手工焊接+300°C或低于3秒鐘請勿加熱封裝材料超過+150°C
SMD型貼片晶振,是指石英晶振采用SMT高速焊接,或者回流焊接情況下,有些型號晶振高溫可達260°,有些只可達230°	+260°C或低于@最大值 10 s 請勿加熱封裝材料超過+150°C

(2)SMD產(chǎn)品回流焊接條件圖
用于JEDEC J-STD-020D.01回流條件的耐熱可用性需個別判斷。請聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)信息。Paltron晶振,貼片晶振,F10晶振

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