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首頁進(jìn)口晶振Raltron晶振,貼片晶振,H13晶振

Raltron晶振,貼片晶振,H13晶振

產(chǎn)品型號：52871730
頻率：6~100MHZ
尺寸：7.0*5.0mm
產(chǎn)品介紹：貼片晶振本身體積小,超薄型石英晶體諧振器,特別適用于有目前高速發(fā)展的高端電子數(shù)碼產(chǎn)品,因?yàn)榫д癖旧硇⌒突枨蟮氖袌鲱I(lǐng)域,小型?薄型是對應(yīng)陶瓷諧振器（偏差大）...

Raltron晶振,貼片晶振,H13晶振,貼片晶振本身體積小,超薄型石英晶體諧振器,特別適用于有目前高速發(fā)展的高端電子數(shù)碼產(chǎn)品,因?yàn)榫д癖旧硇⌒突枨蟮氖袌鲱I(lǐng)域,小型?薄型是對應(yīng)陶瓷諧振器（偏差大）和普通的石英晶體諧振器（偏差?。┑闹虚g領(lǐng)域的一種性價(jià)比較出色的產(chǎn)品.產(chǎn)品廣泛用于筆記本電腦,無線電話,衛(wèi)星導(dǎo)航HDD, SSD, USB, Blu-ray等用途,符合無鉛焊接的高溫回流焊曲線特性.
石英晶振多層、多金屬的濺射鍍膜技術(shù)：是目前研發(fā)及生產(chǎn)高精度、高穩(wěn)定性石英晶體元器件——石英晶振必須攻克的關(guān)鍵技術(shù)之一。石英晶振該選用何鍍材、鍍幾種材料、幾種鍍材的鍍膜順序，鍍膜的工藝方法（如各鍍材的功率設(shè)計(jì)等）。使用此鍍膜方法使鍍膜后的晶振附著力增強(qiáng)，貼片晶振頻率更加集中，能控制在最小ppm之內(nèi)。

Raltron晶振規(guī)格	單位	Raltron貼片晶振頻率范圍	石英晶振基本條件
標(biāo)準(zhǔn)頻率	f_nom	6.00MHZ~100.0MHZ	標(biāo)準(zhǔn)頻率
儲存溫度	T_stg	-40°C ～ +85°C	裸存
工作溫度	T_use	-30°C ～ +85°C	標(biāo)準(zhǔn)溫度
激勵(lì)功率	DL	200μW Max.	推薦:1μW ～ 100μW
頻率公差	f_— l	±50 × 10^-6 (標(biāo)準(zhǔn)), (±15 × 10^-6 ～ ±50 × 10^-6 可用)	+25°C 對于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明,請聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息, http://diginow.com.cn
頻率溫度特征	f_tem	±30 × 10^-6/-20°C ～ +70°C	超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請聯(lián)系我們.
負(fù)載電容	CL	8pF ,10PF,12PF,20PF	不同負(fù)載電容要求,請聯(lián)系我們.
串聯(lián)電阻(ESR)	R₁	如下表所示	-40°C — +85°C, DL = 100μW
頻率老化	f_age	±5 × 10^-6 / year Max.	+25°C,第一年

Raltron Crystal所有產(chǎn)品的共同點(diǎn)
1：抗沖擊
抗沖擊是指晶振產(chǎn)品可能會在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落,摔打,高空拋壓或在貼裝過程中受到?jīng)_擊。如果產(chǎn)品已受過沖擊請勿使用。因?yàn)闊o論何種石英晶振,其內(nèi)部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都會給晶振照成不良影響。
2：輻射
將貼片晶振暴露于輻射環(huán)境會導(dǎo)致產(chǎn)品性能受到損害,因此應(yīng)避免陽光長時(shí)間的照射。
3：化學(xué)制劑 / pH值環(huán)境
請勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解石英晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲藏這些產(chǎn)品。
4：粘合劑
請勿使用可能導(dǎo)致石英晶體諧振器所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。（比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個(gè)晶振的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能。）
5：鹵化合物
請勿在鹵素氣體環(huán)境下使用晶振。即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi),都可能產(chǎn)生腐蝕。同時(shí),請勿使用任何會釋放出鹵素氣體的樹脂。
6：靜電
過高的靜電可能會損壞貼片晶振,請注意抗靜電條件。請為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料。在處理的時(shí)候,請使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路,并進(jìn)行接地操作。Raltron晶振,貼片晶振,H13晶振

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