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SiTime晶振,石英晶振,SiT8924B晶振,OEMs和ODMs接受了石英定時(shí)裝置固有的局限性.現(xiàn)在,有了強(qiáng)大的MEMS諧振器和高性能模擬電路,SiTime晶振公司已經(jīng)開發(fā)出突破石英器件限制的突破性解決方案,研發(fā)出高性能貼片晶振,石英晶體振蕩器,可編程石英晶體振蕩器等.
有源晶振高頻振蕩器使用IC與晶片設(shè)計(jì)匹配技術(shù):有源晶振是高頻振蕩器研發(fā)及生產(chǎn)過程必須要解決的技術(shù)難題。在設(shè)計(jì)過程中除了要考慮石英晶體諧振器具有的電性外,還有石英晶體振蕩器的電極設(shè)計(jì)等其它的特殊性,必須考慮石英晶體振蕩器的供應(yīng)電壓、起動(dòng)電壓和產(chǎn)品上升時(shí)間、下降時(shí)間等相關(guān)參數(shù)。
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項(xiàng)目 | 符號(hào) | SiT8924B晶振規(guī)格說明 | 條件 |
輸出頻率范圍 | f0 | 1 MHz to 110MHz | 請(qǐng)聯(lián)系我們以便獲取其它可用頻率的相關(guān)信息 |
電源電壓 | VCC | 1.60 V to 3.63 V | 請(qǐng)聯(lián)系我們以了解更多相關(guān)信息 |
儲(chǔ)存溫度 | T_stg | -55℃ to +125℃ | 裸存 |
工作溫度 | T_use | G: -40℃ to +85℃ | 請(qǐng)聯(lián)系我們查看更多資料http://diginow.com.cn |
H: -40℃ to +105℃ | |||
J: -40℃ to +125℃ | |||
頻率穩(wěn)定度 | f_tol | J: ±50 × 10-6 | |
L: ±100 × 10-6 | |||
T: ±150 × 10-6 | |||
功耗 | ICC | 3.5 mA Max. | 無負(fù)載條件、最大工作頻率 |
待機(jī)電流 | I_std | 3.3μA Max. | ST=GND |
占空比 | SYM | 45 % to 55 % | 50 % VCC 極, L_CMOS≦15 pF |
輸出電壓 | VOH | VCC-0.4V Min. | |
VOL | 0.4 V Max. | ||
輸出負(fù)載條件 | L_CMOS | 15 pF Max. | |
輸入電壓 | VIH | 80% VCC Max. | ST 終端 |
VIL | 20 % VCC Max. | ||
上升/下降時(shí)間 | tr / tf | 4 ns Max. | 20 % VCC to 80 % VCC 極, L_CMOS=15 pF |
振蕩啟動(dòng)時(shí)間 | t_str | 3 ms Max. | t=0 at 90 % |
頻率老化 | f_aging | ±3 × 10-6 / year Max. | +25 ℃, 初年度,第一年 |
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OSC晶振和實(shí)時(shí)時(shí)鐘模塊:
所有石英晶體振蕩器和實(shí)時(shí)時(shí)鐘模塊都以IC形式提供。
噪音
在電源或輸入端上施加執(zhí)行級(jí)別(過高)的不相干(外部的)噪音,可能導(dǎo)致會(huì)引發(fā)功能失?;驌舸┑拈]門或雜散現(xiàn)象。
電源線路
電源的線路阻抗應(yīng)盡可能低。
輸出負(fù)載
建議將石英晶振輸出負(fù)載安裝在盡可能靠近振蕩器的地方(在20 mm范圍之間)。
未用輸入終端的處理
未用針腳可能會(huì)引起噪聲響應(yīng),從而導(dǎo)致非正常工作。同時(shí),當(dāng)P通道和N通道都處于打開時(shí),電源功率消耗也會(huì)增加;因此,請(qǐng)將未用輸入終端連接到VCC 或GND。
熱影響
重復(fù)的溫度巨大變化可能會(huì)降低受損害的石英晶振產(chǎn)品特性,并導(dǎo)致塑料封裝里的線路擊穿。必須避免這種情況。
安裝方向
振蕩器的不正確安裝會(huì)導(dǎo)致故障以及崩潰,因此安裝時(shí),請(qǐng)檢查安裝方向是否正確。
通電
不建議從中間電位和/或極快速通電,否則會(huì)導(dǎo)致無法產(chǎn)生振蕩和/或非正常工作,SiTime晶振,石英晶振,SiT8924B晶振


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