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SiTime晶振,差分貼片晶振,SiT9103晶振,與普通石英晶振,石英晶體,石英振蕩器相比,SiTime的MEMS振蕩器提供了更高的性能.由于石英設(shè)備針對特定的參數(shù)進行了優(yōu)化,因此無法提供基于內(nèi)存的解決方案提供的組合性能和特性.
石英晶振真空退火技術(shù):晶振高真空退火處理是消除貼片晶振在加工過程中產(chǎn)生的應(yīng)力及輕微表面缺陷。在PLC控制程序中輸入已設(shè)計好的溫度曲線,使真空室溫度跟隨設(shè)定曲線對晶體組件進行退火,石英晶振通過合理的真空退火技術(shù)可提高晶振主要參數(shù)的穩(wěn)定性,以及提高石英晶振的年老化特性。
型號 | 符號 | SiT9103 |
輸出規(guī)格 | - | LV-PECL |
輸出頻率范圍 | fo | 1?800MHz |
電源電壓 | VCC | 1.8V+2.5V±0.125V/+3.3V±0.165V |
頻率公差 (含常溫偏差) |
f_tol | ±50×10-6 max., ±100×10-6 max. |
保存溫度范圍 | T_stg | -40?+85℃ |
運行溫度范圍 | T_use | -10?+70℃ ,-40?+85℃ |
消耗電流 | ICC | 45mA max. (fo≦170MHz) |
待機時電流(#1引腳"L") | I_std | 10μA max. |
輸出負載 | Load-R | 50Ω to VCC-2V |
波形對稱 | SYM | 45?55% [at outputs cross point] |
0電平電壓 | VOL | VCC-1.81?VCC-1.62V |
1電平電壓 | VOH | VCC-1.025?VCC-0.88V |
上升時間 下降時間 | tr, tf | 0.5ns max. [20?80% Output, OutputN] |
差分輸出電壓 | VOD1, VOD2 | - |
差分輸出誤差 | ⊿VOD | - |
補償電壓 | VOS | - |
補償電壓誤差 | ⊿VOS | - |
交叉點電壓 | Vcr | - |
OE端子0電平輸入電壓 | VIL | VCC×0.3 max. |
OE端子1電平輸入電壓 | VIH | VCC×0.7 min. |
輸出禁用時間 | tPLZ | 200ns |
輸出使能時間 | tPZL | 2ms |
周期抖動(1) | tRMS | 5ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 2.5ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) (σ) |
tp-p | 33ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 22ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) (Peak to peak) | |
總抖動(1) | tTL | 50ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 35ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) [tDJ + n×tRJ n=14.1(BER=1×10-12) (2)] |
相位抖動 | tpj |
1.5ps max. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 1ps max. (27MHz≦fo<212.5MHz) [13.5MHz≦fo<40MHz,fo offset:12kHz?5MHz fo≧40MHz,fo offset:12kHz?20MHz] |
SiTime晶振各項注意事項:
晶振產(chǎn)品使用每種產(chǎn)品時,請在石英晶振規(guī)格說明或產(chǎn)品目錄規(guī)定使用條件下使用。因很多種晶振產(chǎn)品性能,以及材料有所不同,所以使用注意事項也有所不同,比如焊接模式,運輸模式,保存模式等等,都會有所差別。
晶振產(chǎn)品的設(shè)計和生產(chǎn)直到出廠,都會經(jīng)過嚴格的測試檢測來滿足它的規(guī)格要求。通過嚴格的出廠前可靠性測試以提供高質(zhì)量高的可靠性的石英晶振.但是為了石英晶振的品質(zhì)和可靠性,必須在適當(dāng)?shù)臈l件下存儲,安 裝,運輸。請注意以下的注意事項并在最佳的條件下使用產(chǎn)品,我們將對于客戶按自己的判斷而使用石英晶振所導(dǎo)致的不良不負任何責(zé)任。
機械振動的影響
當(dāng)晶振產(chǎn)品上存在任何給定沖擊或受到周期性機械振動時,比如:壓電揚聲器,壓電蜂鳴器,以及喇叭等,輸出頻率和幅度會受到影響。這種現(xiàn)象對通信器材通信質(zhì)量有影響。盡管晶振產(chǎn)品設(shè)計可最小化這種機械振動的影響,我們推薦事先檢查并按照下列安裝指南進行操作。SiTime晶振,差分貼片晶振,SiT9103晶振
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