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Greenray晶振,TCXO晶振,T1170/1171晶振,電源電壓范圍:1.8V?5 V,高穩(wěn)定性,低抖動,低功耗,主要應(yīng)用領(lǐng)域:無線通訊,高端智能手機,平板筆記本W(wǎng)LAN,藍牙,數(shù)碼相機,DSL和其他IT產(chǎn)品的晶振應(yīng)用,三態(tài)功能,PC和LCDM等高端數(shù)碼領(lǐng)域,符合RoHS/無鉛.
晶振的真空封裝技術(shù):是指石英晶振在真空封裝區(qū)域內(nèi)進行封裝。1.防止外界氣體進入組件體內(nèi)受到污染和增加應(yīng)力的產(chǎn)生;2.使晶振組件在真空下電阻減??;3.氣密性高。此技術(shù)為研發(fā)及生產(chǎn)超小型、超薄型石英晶振必須攻克的關(guān)鍵技術(shù)之一
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項目 | 符號 | T1170/1171晶振規(guī)格說明 | 條件 |
輸出頻率范圍 | f0 | 10~100MHZ | 請聯(lián)系我們以便獲取其它可用頻率的相關(guān)信息 |
電源電壓 | VCC | 3.3 V.5.0V | 請聯(lián)系我們以了解更多相關(guān)信息 |
儲存溫度 | T_stg | -55℃ to +125℃ | 裸存 |
工作溫度 | T_use | G: -40℃ to +85℃ | 請聯(lián)系我們查看更多資料http://diginow.com.cn |
H: -40℃ to +105℃ | |||
J: -40℃ to +125℃ | |||
頻率穩(wěn)定度 | f_tol | J: ±50 × 10-6 | |
L: ±100 × 10-6 | |||
T: ±150 × 10-6 | |||
功耗 | ICC | 3.5 mA Max. | 無負載條件、最大工作頻率 |
待機電流 | I_std | 3.3μA Max. | ST=GND |
占空比 | SYM | 45 % to 55 % | 50 % VCC 極, L_CMOS≦15 pF |
輸出電壓 | VOH | VCC-0.4V Min. | |
VOL | 0.4 V Max. | ||
輸出負載條件 | L_CMOS | 15 pF Max. | |
輸入電壓 | VIH | 80% VCC Max. | ST 終端 |
VIL | 20 % VCC Max. | ||
上升/下降時間 | tr / tf | 4 ns Max. | 20 % VCC to 80 % VCC 極, L_CMOS=15 pF |
振蕩啟動時間 | t_str | 3 ms Max. | t=0 at 90 % |
頻率老化 | f_aging | ±3 × 10-6 / year Max. | +25 ℃, 初年度,第一年 |
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自動安裝時的沖擊:
石英晶振自動安裝和真空化引發(fā)的沖擊會破壞產(chǎn)品特性并影響這些產(chǎn)品。請設(shè)置安裝條件以盡可能將沖擊降至最低,并確保在安裝前未對晶振特性產(chǎn)生影響。條件改變時,請重新檢查安裝條件。同時,在安裝前后,請確保石英晶振產(chǎn)品未撞擊機器或其他電路板等。
每個封裝類型的注意事項
陶瓷包裝晶振與SON產(chǎn)品
在焊接陶瓷封裝晶振和SON產(chǎn)品 (陶瓷包裝是指晶振外觀采用陶瓷制品) 之后,彎曲電路板會因機械應(yīng)力而導(dǎo)致焊接部分剝落或封裝分裂(開裂)。尤其在焊接這些產(chǎn)品之后進行電路板切割時,務(wù)必確保在應(yīng)力較小的位置布局晶體并采用應(yīng)力更小的切割方法。
陶瓷包裝石英晶振
在一個不同擴張系數(shù)電路板(環(huán)氧玻璃)上焊接陶瓷封裝石英晶振時,在溫度長時間重復(fù)變化時可能導(dǎo)致端子焊接部分發(fā)生斷裂,請事先檢查焊接特性。Greenray晶振,TCXO晶振,T1170/1171晶振


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