常見(jiàn)問(wèn)題

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首頁(yè)進(jìn)口晶振IDT晶振,貼片晶振,XUN晶振,OSC晶振

IDT晶振,貼片晶振,XUN晶振,OSC晶振

產(chǎn)品型號(hào)：256080
頻率：0.016MHz~670MHz
尺寸：5.0*3.2mm
產(chǎn)品介紹：差分晶振作為目前行業(yè)中高要求、高技術(shù)石英晶體振蕩器,具有相位低、損耗低的特點(diǎn).差分貼片晶體振蕩器使用于產(chǎn)品中能夠很容易地識(shí)別小信號(hào),能夠從容精確地處理...

IDT晶振,貼片晶振,XUN晶振,OSC晶振,差分晶振作為目前行業(yè)中高要求、高技術(shù)石英晶體振蕩器,具有相位低、損耗低的特點(diǎn).差分貼片晶體振蕩器使用于產(chǎn)品中能夠很容易地識(shí)別小信號(hào),能夠從容精確地處理'雙極'信號(hào),對(duì)外部電磁干擾（EMI）是高度免疫的.
石英晶振高精度晶片的拋光技術(shù)：貼片晶振是目前晶片研磨技術(shù)中表面處理技術(shù)的最高技術(shù)，最終使晶振晶片表面更光潔，平行度及平面度更好，降低諧振電阻，提高Q值。從而達(dá)到一般研磨所達(dá)不到的產(chǎn)品性能，使石英晶振的等效電阻等更接近理論值，使晶振可在更低功耗下工作。使用先進(jìn)的牛頓環(huán)及單色光的方法去檢測(cè)晶片表面的狀態(tài)。

型號(hào)	符號(hào)	XUN(5032)
輸出規(guī)格	-	HCSL
輸出頻率范圍	fo	0.016?670MHz
電源電壓	V_CC	+2.5V±0.125V/+3.3V±0.165V
頻率公差（含常溫偏差）	f_tol	±50×10^-6 max., ±100×10^-6 max.
保存溫度范圍	T_stg	-40?+85℃
運(yùn)行溫度范圍	T_use	-10?+70℃ ,-40?+85℃
消耗電流	I_CC	30mA max. (fo≦170MHz),
待機(jī)時(shí)電流（＃1引腳"L"）	I_std	10μA max.
輸出負(fù)載	Load-R	50Ω
波形對(duì)稱	SYM	45?55% [at outputs cross point]
0電平電壓	V_OL	-0.15?0.15V
1電平電壓	V_OH	0.58?0.85V
上升時(shí)間下降時(shí)間	tr, tf	0.5ns max. [0.175?0.525V Level]
差分輸出電壓	⊿V_OD1, V_OD2	-
差分輸出誤差	⊿V_OD	-
補(bǔ)償電壓	V_OS	-
補(bǔ)償電壓誤差	⊿V_OS	-
交叉點(diǎn)電壓	Vcr	250?550mV
OE端子0電平輸入電壓	V_IL	V_CC×0.3 max.
OE端子1電平輸入電壓	V_IH	V_CC×0.7 min.
輸出禁用時(shí)間	tPLZ	200ns
輸出使能時(shí)間	tPZL	2ms
周期抖動(dòng)（1）	tRMS	5ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 2.5ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) (σ)
周期抖動(dòng)（1）	tp-p	33ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 22ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) (Peak to peak)
總抖動(dòng)（1）	tTL	50ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 35ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) [tDJ + n×tRJ n=14.1(BER=1×10^-12)　(2)]
相位抖動(dòng)	tpj	1.5ps max. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 1ps max. (27MHz≦fo<212.5MHz) [13.5MHz≦fo<40MHz,fo offset:12kHz?5MHz fo≧40MHz,fo offset:12kHz?20MHz]

以下是設(shè)計(jì)振蕩回路
產(chǎn)品設(shè)計(jì)人員在設(shè)計(jì)振蕩回路的注意事項(xiàng)
1. 驅(qū)動(dòng)能力
驅(qū)動(dòng)能力說(shuō)明石英晶體振蕩器所需電功率,其計(jì)算公式如下：
　驅(qū)動(dòng)能力 (P) = i2?Re
其中i表示經(jīng)過(guò)晶體單元的電流,
Re表示石英晶振的有效電阻,而且 Re=R1（1+Co/CL）2。

石英晶振的等效電路	振蕩電路

2. 振蕩補(bǔ)償
除非在振蕩電路中提供足夠的負(fù)極電阻,否則會(huì)增加振蕩啟動(dòng)時(shí)間,或不發(fā)生振蕩。為避免該情況發(fā)生,請(qǐng)?jiān)陔娐吩O(shè)計(jì)時(shí)提供足夠的負(fù)極電阻。

晶振和石英晶體振蕩器	負(fù)極電阻檢查

	將電阻(r)跟晶振按串聯(lián)方式連接到電路。調(diào)整(r),使得振蕩發(fā)生（或停止）。當(dāng)振蕩剛啟動(dòng)（或停止）時(shí),如（2）所述,測(cè)量(r)。推薦的(r) (r) > CI ×(5至 10)

3. 負(fù)載電容
如果振蕩電路中晶振的負(fù)載電容不同,可能導(dǎo)致振蕩頻率與設(shè)計(jì)頻率之間產(chǎn)生偏差,如下圖所示。電路中的負(fù)載電容的近似表達(dá)式 CL≒CG × CD / （CG+CD） + CS。
其中CS表示電路的雜散電容。IDT晶振,貼片晶振,XUN晶振,OSC晶振

頻率和負(fù)載電容特征圖器	振蕩回路參數(shù)設(shè)置參考

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