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首頁進(jìn)口晶振 Transko晶振特蘭斯科晶振,CS2012晶振,CS2012-A-32.768K-9-TR晶振

特蘭斯科晶振,CS2012晶振,CS2012-A-32.768K-9-TR晶振

產(chǎn)品型號：4469728
頻率：32.768KHZ
尺寸：2.0*1.2mm
產(chǎn)品介紹：特蘭斯科晶振,CS2012晶振,CS2012-A-32.768K-9-TR晶振,貼片表晶32.768K系列具有超小型,薄型,質(zhì)地輕的表面貼片音叉型石英晶體振蕩器,晶振產(chǎn)品本身具備優(yōu)良的耐熱性,...

特蘭斯科晶振,CS2012晶振,CS2012-A-32.768K-9-TR晶振,貼片表晶32.768K系列具有超小型,薄型,質(zhì)地輕的表面貼片音叉型石英晶體振蕩器,晶振產(chǎn)品本身具備優(yōu)良的耐熱性,耐環(huán)境特性,在辦公自動化,家電領(lǐng)域,移動通信領(lǐng)域可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,符合無鉛標(biāo)準(zhǔn),滿足無鉛焊接的回流溫度曲線要求,金屬外殼的石英晶振使得產(chǎn)品在封裝時能發(fā)揮比陶瓷晶振外殼更好的耐沖擊性能.
讓我們與眾不同的是Transko Advantage –具有快速交付能力。能夠在72小時內(nèi)提供產(chǎn)品，高度積極的銷售人員為您的頻率控制要求提供優(yōu)異的定價和解決方案。通過結(jié)合杰出員工的知識和廣泛背景，能夠解決和定制您的特定項(xiàng)目或設(shè)計(jì)需求。Transko團(tuán)隊(duì)導(dǎo)向的環(huán)境和高效的生產(chǎn)人員不斷讓我們的客戶滿意，并使我們能夠提供最好的支持。
Transko晶振宣布推出適用于基站，無線回程和核心網(wǎng)絡(luò)設(shè)備應(yīng)用的新系列高穩(wěn)定性TCXO TX-P系列。提供CMOS和削波正弦波輸出，在-10°C至60°C的工作溫度范圍內(nèi)具有±0.05ppm的頻率穩(wěn)定性，在-10°C至70°C范圍內(nèi)具有±0.1ppm的頻率穩(wěn)定度，這些器件還具有可選的電壓調(diào)整范圍線性10％時為±5ppm。此外，由于TX-P系列在100Hz失調(diào)時可以達(dá)到-130 dBc / Hz，而在26MHz CMOS輸出時可以達(dá)到-145 dBc / Hz @ 1KHz失調(diào)，因此相位噪聲性能非常出色。成本比OCXO更合理.
Transko晶振成立于1992年,總部位于加州福尼亞州阿納海姆,主要生產(chǎn)Transko貼片晶振,石英晶體,OSC差分晶振,VCXO壓控晶振等頻率元件.美國Transko石英晶振發(fā)展至今仍不斷改進(jìn),并致力于向廣大用戶提供優(yōu)質(zhì)的晶振產(chǎn)品.特蘭斯科晶振,CS2012晶振,CS2012-A-32.768K-9-TR晶振.

SPECIFICATION-Transko晶振	CS2012晶振
FREQUENCY	32.768kHz
FREQUENCY TOLERANCE @ 25°C ± 3°C	±10ppm, ±20ppm, ±50ppm
TEMPERATURE COEFFICIENT	-0.045 ppm / ºC 2 max.
OPERATING TEMPERATURE RANGE	-40°C ~ 85°C
STORAGE TEMPERATURE RANGE	-55°C ~ 125°C
TURN OVER TEMPERATURE	25°C ± 5°C
LOAD CAPACITANCE	12.5pF, 9.0pF, 7.0pF
SHUNT CAPACITANCE	2.0pF typ.
EQUIVALENT SERIES RESISTANCE	90kΩ max.
INSULATION RESISTANCE	500MΩ min. @ 100V DC ± 15V DC
DRIVE LEVEL	0.1µW
AGING @ 25°C ± 3°C	±3.0ppm / 1 st year max.

自動安裝時的沖擊：
  石英晶振自動安裝和真空化引發(fā)的沖擊會破壞產(chǎn)品特性并影響這些產(chǎn)品。請?jiān)O(shè)置安裝條件以盡可能將沖擊降至最低,并確保在安裝前未對晶振特性產(chǎn)生影響。條件改變時,請重新檢查安裝條件。同時,在安裝前后,請確保石英晶振產(chǎn)品未撞擊機(jī)器或其他電路板等。
每個封裝類型的注意事項(xiàng)
陶瓷包裝晶振與SON產(chǎn)品
在焊接陶瓷封裝晶振(陶瓷晶振)和SON產(chǎn)品 (陶瓷包裝是指晶振外觀采用陶瓷制品) 之后,彎曲電路板會因機(jī)械應(yīng)力而導(dǎo)致焊接部分剝落或封裝分裂（開裂）。尤其在焊接這些產(chǎn)品之后進(jìn)行電路板切割時,務(wù)必確保在應(yīng)力較小的位置布局晶體并采用應(yīng)力更小的切割方法。
陶瓷包裝石英晶振
在一個不同擴(kuò)張系數(shù)電路板（環(huán)氧玻璃）上焊接陶瓷封裝石英晶振時,在溫度長時間重復(fù)變化時可能導(dǎo)致端子焊接部分發(fā)生斷裂,請事先檢查焊接特性。特蘭斯科晶振,CS2012晶振,CS2012-A-32.768K-9-TR晶振.

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