Golledge晶振是英國(guó)優(yōu)秀的頻率控制產(chǎn)品供應(yīng)商,并為電子行業(yè)提供服務(wù)而感到自豪,其理念是通過努力滿足并超越客戶的需求,堅(jiān)定地關(guān)注客戶的需求.通過確保石英晶振,貼片晶振,有源晶振等產(chǎn)品和服務(wù)的質(zhì)量高和一致性來實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo).具有出色的使用壽命和可焊性,可在極高250MHz的頻率下提供出色的抗沖擊和抗振動(dòng)能力.如CC1F-T1A晶振的軍用工作溫度范圍為-55至+125°C,是高頻軍事,航空電子和井下應(yīng)用的理想晶振.下面康比電子介紹高利奇晶振集團(tuán)對(duì)縮小石英晶振有什么影響和關(guān)聯(lián).
增加最低頻率
給定尺寸的AT切割晶體的最小可用頻率由存在干擾所需模式的替代共模式(及其泛音)來設(shè)定.另一種共振模式可以表現(xiàn)為虛假共振.它們也可以表現(xiàn)為“活動(dòng)逢低”.在較窄的溫??度范圍內(nèi)出現(xiàn)的R1的活動(dòng)下降是增加的.隨著驅(qū)動(dòng)電平的增加,與不需要的諧振的耦合增加.

包	包裝尺寸（最大）	最小AT切頻率
HC49J	17.7 x 11.0 x 5.3	1.8 MHz
UM-1J	11.6 x 7.8 x 3.6	3.579 MHz
GSX-751	7.0 x 5.0 x 1.2	6 MHz
GSX-531	5.0 x 3.2 x 0.7	8 MHz
GSX-331	3.2 x 2.5 x 0.8	10 MHz
GSX-321	2.5 x 2.0 x 0.6	12 MHz
GSX-221	2.0 x 1.6 x 0.55	16 MHz
GSX-211	1.6 x 1.2 x 0.45	24 MHz

通過使用使用不同諧振模式的不同晶體切割類型,可以在這些小封裝中提供更低的頻率晶振.這通常以較差的頻率穩(wěn)定性為代價(jià).SL切割是使用面剪切振動(dòng)模式的示例.
擾動(dòng)

該圖中的測(cè)量數(shù)據(jù)標(biāo)記為藍(lán)色.紅線是嘗試將三階多項(xiàng)式擬合到數(shù)據(jù).對(duì)于沒有擾動(dòng)的晶體,多項(xiàng)式和測(cè)量數(shù)據(jù)之間的匹配應(yīng)該優(yōu)于所有點(diǎn)的0.5ppm.三階多項(xiàng)式通常足以用于AT切割晶體.
包裝不對(duì)稱

從含鉛罐到現(xiàn)代陶瓷表面貼裝封裝的貼片晶振轉(zhuǎn)變意味著晶體電極和封裝接地之間的雜散電容是不對(duì)稱的.這可能導(dǎo)致振蕩器頻率的微小變化,這取決于安裝晶體的方向.應(yīng)特別注意,在進(jìn)行原型設(shè)計(jì)時(shí),應(yīng)使用正確的包裝方向.注意,除非另有說明,否則晶體的特征在于罐（或表面安裝類型的蓋）浮動(dòng).這也可能導(dǎo)致意外的頻移.
抗振性
較小質(zhì)量的小型表面貼裝部件在防止沖擊和振動(dòng)損壞方面具有優(yōu)勢(shì).傳統(tǒng)的圓形水晶毛坯需要在大型封裝中進(jìn)行三點(diǎn)或四點(diǎn)安裝,占用較大的PCB面積,以避免因振動(dòng)或沖擊而損壞.在現(xiàn)代表面貼裝封裝中,坯料通常由兩個(gè)帶銀的環(huán)氧樹脂固定,該點(diǎn)也可以與晶振進(jìn)行電連接.汽車級(jí)表面貼裝零件具有所謂的封裝內(nèi)坯料的四點(diǎn)安裝.這包括在放置晶體坯料后在前兩個(gè)頂部放置兩個(gè)額外的銀負(fù)載環(huán)氧樹脂點(diǎn).這里的優(yōu)點(diǎn)是增加了安裝剛度,而不會(huì)花費(fèi)更多的PCB面積.雖然這被稱為四點(diǎn),
設(shè)計(jì)變化以適應(yīng)更小的晶體
降低負(fù)載電容
降低負(fù)載電容具有保持石英晶體振蕩器的調(diào)諧范圍的優(yōu)點(diǎn).它還可以降低晶體的驅(qū)動(dòng)電平和振蕩器電路的功耗.幸運(yùn)的是,晶體封裝尺寸的減小會(huì)導(dǎo)致PCB焊盤尺寸變小,從而降低PCB焊盤電容.
降低驅(qū)動(dòng)器級(jí)別
數(shù)據(jù)表中引用的驅(qū)動(dòng)電平是用于特性測(cè)試的驅(qū)動(dòng)電平.它們可能不是那部分的最佳選擇.應(yīng)執(zhí)行晶體表征（或詢問供應(yīng)商的數(shù)據(jù)）以找到最佳驅(qū)動(dòng)電平.
如何確定驅(qū)動(dòng)器級(jí)別
可以通過模擬振蕩器來確定驅(qū)動(dòng)電平,其中晶體模型中使用的R1的最大期望值.如果無法獲得振蕩器有源晶振部分行為的真實(shí)模型,則應(yīng)使用高帶寬電流探頭測(cè)量晶體中的電流.如果您沒有電流探頭,那么測(cè)量晶體兩端的電壓可以提供足夠的數(shù)據(jù)來獲得晶體驅(qū)動(dòng)電平.以這種方式測(cè)量電壓時(shí),必須注意避免使用探頭加載電路.理想情況下,應(yīng)暫時(shí)降低并聯(lián)電容,以補(bǔ)償探頭電容.

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